西安电子科技大学张军琴获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利计算瞬态芯片功率下三维微系统瞬态温度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120974770B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511468126.6，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权计算瞬态芯片功率下三维微系统瞬态温度的方法是由张军琴;金鑫;单光宝;翟路豪;陈文婷;杨银堂设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本计算瞬态芯片功率下三维微系统瞬态温度的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种计算瞬态芯片功率下三维微系统瞬态温度的方法，属于微电子技术领域，包括：确定基板层和微焊盘层的各向异性等效热导率；以芯片为热源，对每个芯片产生的热流密度进行傅里叶级数展开，得到每个基板层的上表面由芯片所产生的总热流密度；根据总热流密度，构建固定芯片功率下的瞬态热解析模型；在多个连续的时间段内逐次更新瞬态热解析模型中各芯片的芯片功率，得到三维微系统在所有时间节点的瞬态温度场。由于本发明在构建固定芯片功率下的瞬态热解析模型时，考虑了三维微系统中芯片功率随时间发生改变的情况，因此计算得到的温度具有更高的精度，同时大幅提高了计算效率。
本发明授权计算瞬态芯片功率下三维微系统瞬态温度的方法在权利要求书中公布了：1.一种计算瞬态芯片功率下三维微系统瞬态温度的方法，其特征在于，所述三维微系统包括多个功能层，所述多个功能层包括交替堆叠的至少一组基板层和微焊盘层，其中，每个所述基板层包括多个芯片以及均匀分布的硅通孔TSV阵列，相邻两个基板层通过TSV阵列和所述微焊盘层实现层间互连； 所述方法包括： 确定所述基板层和所述微焊盘层的各向异性等效热导率； 以所述芯片为热源，对每个所述芯片产生的热流密度进行傅里叶级数展开，得到每个所述基板层的上表面由芯片所产生的总热流密度； 根据所述总热流密度，构建固定芯片功率下的瞬态热解析模型； 在多个连续的时间段内逐次更新所述瞬态热解析模型中各芯片的芯片功率，得到所述三维微系统在所有时间节点的瞬态温度场。
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