南通大学;无锡中微腾芯电子有限公司董子萱获国家专利权
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龙图腾网获悉南通大学;无锡中微腾芯电子有限公司申请的专利一种具有多阶环形浅沟槽隔离结构硅通孔的芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120955058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511483208.8，技术领域涉及：H10W20/20；该发明授权一种具有多阶环形浅沟槽隔离结构硅通孔的芯片是由董子萱;仓冬青;孙海燕;赵继聪;张凯虹;蔡志匡设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有多阶环形浅沟槽隔离结构硅通孔的芯片在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有多阶环形浅沟槽隔离结构硅通孔的芯片。该芯片包括硅晶片、设置于硅晶片中的通孔和设置于硅晶片上的多阶环形浅沟槽隔离结构；在通孔内由孔壁向中心依次设置有绝缘层和导体层；多阶环形浅沟槽隔离结构包括由内向外设置的至少两个与通孔同轴且侧壁直接接触的环形浅沟槽和填充于环形浅沟槽中的填充材料；各个环形浅沟槽的深度不同。该芯片热应力水平低、高应力区域范围小，且制备工艺简单。
本发明授权一种具有多阶环形浅沟槽隔离结构硅通孔的芯片在权利要求书中公布了：1.一种具有多阶环形浅沟槽隔离结构硅通孔的芯片，其特征在于， 包括硅晶片、设置于所述硅晶片中的通孔和设置于所述硅晶片上的多阶环形浅沟槽隔离结构； 在所述通孔内由孔壁向中心依次设置有绝缘层和导体层； 所述多阶环形浅沟槽隔离结构包括由内向外设置的2-4个与所述通孔同轴且侧壁直接接触的环形浅沟槽和填充于所述环形浅沟槽中的填充材料，所述填充材料的杨氏模量和热膨胀系数均低于硅晶片和导体层； 各个所述环形浅沟槽的深度不同； 所述环形浅沟槽的宽度为0.5-4μm，深度为1-3μm； 所述多阶环形浅沟槽隔离结构靠近所述通孔中心轴的环形浅沟槽内侧边缘与所述导体层外壁之间具有预设的间距。
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