合肥晶合集成电路股份有限公司刘苏涛获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制造方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120955035B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511454009.4，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权一种半导体结构的制造方法及半导体结构是由刘苏涛;林士闵设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制造方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，包括以下步骤：提供一衬底；形成衬底氧化层于衬底上，形成第一氮化层于衬底氧化层上；蚀刻部分第一氮化层和衬底氧化层，露出衬底表面，并形成第一沟槽；形成第二氮化层于第一沟槽的槽壁上和第一氮化层上；蚀刻位于衬底表面的第二氮化层和位于第一氮化层上的第二氮化层，露出衬底的表面和第一氮化层的表面，并蚀刻衬底，形成浅沟槽；填充浅沟槽和第一沟槽，形成浅沟槽隔离结构；依次去除部分第一氮化层，去除第二氮化层，露出浅沟槽隔离结构的表面；形成保护层于浅沟槽隔离结构的裸露表面上；以及依次去除第一氮化层、衬底氧化层和保护层。本发明能够降低器件的漏电流概率。
本发明授权一种半导体结构的制造方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底； 形成衬底氧化层于所述衬底上，形成第一氮化层于所述衬底氧化层上； 蚀刻部分所述第一氮化层和所述衬底氧化层，露出所述衬底表面，并形成第一沟槽； 形成第二氮化层于所述第一沟槽的槽壁上和所述第一氮化层上； 蚀刻位于衬底表面的所述第二氮化层和位于所述第一氮化层上的所述第二氮化层，露出所述衬底的表面和所述第一氮化层的表面，并蚀刻所述衬底，形成浅沟槽； 填充所述浅沟槽和所述第一沟槽，形成浅沟槽隔离结构； 依次去除部分所述第一氮化层，去除所述第二氮化层，露出所述浅沟槽隔离结构的表面； 形成保护层于所述浅沟槽隔离结构的裸露表面上，其中所述保护层中具有胺基基团；以及 依次去除所述第一氮化层、所述衬底氧化层和所述保护层。
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