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龙图腾网获悉江苏万邦微电子有限公司申请的专利一种多处理器集成电路封装结构的制备方法及封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120954977B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511479360.9，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权一种多处理器集成电路封装结构的制备方法及封装结构是由孔金磊;杨绕波;梁剑秋;高鹏设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多处理器集成电路封装结构的制备方法及封装结构在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件技术领域，提出一种多处理器集成电路封装结构的制备方法及封装结构。该方法在预固化处理之后和完全固化处理之前，增加了对预固化封装结构进行翘曲测量、结构形态确定，以及对异常形态进行返工处理的步骤。本申请能够在粘接结构尚未完全固化、返工难度较低的阶段，及时发现并修正因多处理器架构导致的应力不均所引发的封装结构形态异常问题，使得产品批次良品率可达93%以上，从而有效解决了相关技术中多处理器集成电路封装良品率低且返工困难的技术难题。

本发明授权一种多处理器集成电路封装结构的制备方法及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种多处理器集成电路封装结构的制备方法，其特征在于，包括下列主步骤： S1、提供基板10，所述基板10的表面定义有有源区域及外围区域，所述有源区域集成有多个处理器芯片，所述多个处理器芯片包括第一处理器芯片21以及第二处理器芯片22； S2、形成粘接结构在所述外围区域； S3、设置盖板在所述基板10的表面上，所述盖板通过所述粘接结构与所述基板10连接，且所述盖板覆盖所述有源区域； S4、对所述粘接结构进行预固化处理以形成预固化封装结构30； S5、对所述预固化封装结构30进行翘曲测量以获取微观形变数据； S6、根据所述微观形变数据确定所述预固化封装结构30的结构形态，所述结构形态包括正常形态及异常形态； S7、当所述预固化封装结构30处于异常形态时，对所述预固化封装结构30进行返工处理； S8、当所述预固化封装结构30处于正常形态时，对所述预固化封装结构30进行固化处理； 主步骤S5包括下列从属步骤： S51、基于所述处理器芯片的几何中心的坐标及周长权重值计算所述基板10的加权重心的坐标； S52、根据所述加权重心及所述几何中心确定观测剖面； S53、在所述观测剖面上选择测量点进行高度测量以获取所述微观形变数据； 在从属步骤S51中，连接所述第一处理器芯片21的第一几何中心A与所述第二处理器芯片22的第二几何中心B，形成以所述第一几何中心A及所述第二几何中心B为顶点的处理器芯片关联线段AB；将所述第一处理器芯片21的周长表示为LA，将所述第一几何中心A的坐标表示为xA,yA，将所述第二处理器芯片22的周长表示为LB，将所述第二几何中心B的坐标表示为xB,yB，设置所述第一处理器芯片21的周长权重值wA以及所述第二处理器芯片22的周长权重值wB，表示为下式：wA：wA＝LA：LB；基于所述第一几何中心A的坐标xA,yA、所述第二几何中心B的坐标xB,yB、所述第一处理器芯片21的周长权重值wA及所述第二处理器芯片22周长权重值wB计算所述基板10的加权重心的坐标Px,y，表示为下式：在从属步骤S52中，形成由所述第一几何中心A、所述第二几何中心B及所述加权重心P确定的第一观测剖面S； 在从属步骤S53中，在所述第一观测剖面S上选择测量点，并对所述测量点的高度值进行归一化处理以获取所述微观形变数据，所述测量点包括：所述第一几何中心A、所述第二几何中心B、所述加权重心P及位于所述第一观测剖面S与所述基板10的边缘交接处的第一基板边缘观测交点PE和第二基板边缘观测交点PE’。

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