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龙图腾网获悉北京汤谷软件技术有限公司申请的专利标准单元物理版图的生成方法及相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120951924B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511484031.3，技术领域涉及：G06F30/394；该发明授权标准单元物理版图的生成方法及相关设备是由刘丹;徐国超设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本标准单元物理版图的生成方法及相关设备在说明书摘要公布了：本申请属于半导体设计自动化技术领域，提出了一种标准单元物理版图的生成方法及相关设备。其中，所述方法包括：获取待设计标准单元的设计数据和目标工艺下的多图案化工艺约束参数；根据所述设计数据和多图案化工艺约束参数，对待设计标准单元中的晶体管进行布局，其中，在布局过程中，动态对所述待设计标准单元中的晶体管进行折叠和或源漏共享，并同步检测栅极切割工艺和接触通孔切割工艺的可行性；在对所述待设计标准单元中的晶体管完成布局之后，采用多网络同步优化策略对所述待设计标准单元进行布线，以生成标准单元物理版图，其中，在布线过程中，融入签核数据以优化布线。通过本申请提供的技术方案能够提高标准单元物理版图的生成效率。

本发明授权标准单元物理版图的生成方法及相关设备在权利要求书中公布了：1.一种标准单元物理版图的生成方法，其特征在于，所述方法包括： 获取待设计标准单元的设计数据，所述设计数据用于定义所述待设计标准单元的晶体管连接关系，以及所述待设计标准单元的尺寸要求和性能要求，所述晶体管连接关系用于限定所述待设计标准单元的功能要求； 获取目标工艺下的多图案化工艺约束参数，所述多图案化工艺约束参数用于定义自对准双重图案的工艺规则、自对准四重图案的工艺规则以及接触通孔覆盖的工艺规则； 根据所述设计数据和所述多图案化工艺约束参数，对所述待设计标准单元中的晶体管进行布局，其中，在布局过程中，动态对所述待设计标准单元中的晶体管进行折叠和或源漏共享，并同步检测栅极切割工艺和接触通孔切割工艺的可行性； 在对所述待设计标准单元中的晶体管完成布局之后，采用多网络同步优化策略对所述待设计标准单元进行布线，以生成标准单元物理版图，其中，在布线过程中，融入签核数据以优化布线； 所述同步检测栅极切割工艺和接触通孔切割工艺的可行性，包括：提取晶体管的待布局参数，所述待布局参数包括栅极切割区域的位置、高度、宽度及栅极间距，以及接触通孔的候选位置、尺寸、跨栅宽度及与栅极的距离；检测栅极切割区域的高度是否不小于工艺规定的最小切割高度、栅极切割区域边缘与相邻栅极边缘的间距是否不小于工艺规定的最小安全间距，以及栅极切割区域是否连续；基于接触通孔覆盖的工艺规则，检测接触通孔的跨栅宽度是否不大于工艺规定的最大跨栅宽度、接触通孔边缘与栅极边缘的距离是否不小于工艺规定的最小栅孔间距，以及接触通孔的尺寸是否在工艺允许范围内；检测栅极切割区域与接触通孔的候选位置的投影是否存在重叠，以及栅极切割区域边缘与接触通孔边缘的距离是否不小于工艺规定的最小协同间距；若存在任意一检测项不通过，则调整所述待布局参数，并返回执行检测步骤，直至所有检测项均通过。

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