华辰芯光(无锡)半导体有限公司洪斌获国家专利权
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龙图腾网获悉华辰芯光(无锡)半导体有限公司申请的专利一种垂直腔面发射半导体激光器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120933765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511455833.1，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种垂直腔面发射半导体激光器及其制造方法是由洪斌;魏明;向磊设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直腔面发射半导体激光器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体激光器的技术领域，尤其是涉及一种垂直腔面发射半导体激光器及其制造方法,包括从下至上依次设置的衬底、N型DBR层、有源区、氧化层、P型DBR层、P接触层和P金属层，所述氧化层上开设有氧化孔，所述P接触层内设有碳替位调制结构层，所述碳替位调制结构层的下端位于P型DBR层内，所述碳替位调制结构层与氧化孔正对，所述碳替位调制结构层的材料为掺杂有碳原子的GaAs。本申请通过“SEG工艺的精准控制”与“碳的超低扩散特性”协同实现了传统单纯氧化限制方案和传统扩散工艺加氧化限制VCSEL方案难以企及的高频特性，单模性能，超长寿命、宽温工作和抗极端环境的能力。
本发明授权一种垂直腔面发射半导体激光器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底1、N型DBR层2、有源区3、氧化层4、P型DBR层5、P接触层6和P金属层7，所述氧化层4上开设有氧化孔8，其特征在于：所述P接触层6内设有碳替位调制结构层9，所述碳替位调制结构层9的下端位于P型DBR层5内，所述碳替位调制结构层9与氧化孔8正对，所述碳替位调制结构层9的材料为掺杂有碳原子的GaAs，所述碳替位调制结构层9的直径小于氧化孔8的孔径。
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