晶科能源(海宁)有限公司宗晓辉获国家专利权
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龙图腾网获悉晶科能源(海宁)有限公司申请的专利太阳能电池及其制备方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120916523B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511441983.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池及其制备方法、光伏组件是由宗晓辉;张远方;王钊;杨洁;郑霈霆;张昕宇;於玲琳设计研发完成，并于2025-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及其制备方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本公开涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，至少可以提升太阳能电池的性能。太阳能电池的制备方法包括：提供基底，基底具有相对的第一侧和第二侧，基底包括彼此分立的第一区和第二区，第一侧具有掺杂半导体层和掺杂源层；对第一区对应的掺杂源层进行改性处理，改性处理包括n次激光扫描。其中，n次激光扫描满足：第x次激光扫描对应沿第x扫描线扫描，第x+1次激光扫描对应沿第x+1扫描线扫描，第y次激光扫描对应沿第y扫描线扫描，其中，第y扫描线位于第x扫描线与第x+1扫描线之间，1≤x＜n，y不同于x且不同于x+1，且x、y以及n均为任意正整数；去除第一区对应的掺杂源层和掺杂半导体层。
本发明授权太阳能电池及其制备方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底具有相对的第一侧和第二侧，所述基底包括彼此分立的第一区和第二区，所述第一侧具有掺杂半导体层和掺杂源层，所述掺杂源层位于所述掺杂半导体层背离所述第二侧的表面上； 对所述第一区对应的所述掺杂源层进行改性处理，所述改性处理包括n次激光扫描，其中，所述n次激光扫描满足： 第x次激光扫描对应沿第x扫描线扫描，第x+1次激光扫描对应沿第x+1扫描线扫描，第y次激光扫描对应沿第y扫描线扫描，其中，所述第y扫描线位于所述第x扫描线与所述第x+1扫描线之间，1≤x＜n，y不同于x且不同于x+1，且x、y以及n均为任意正整数； 去除所述第一区对应的所述掺杂源层和所述掺杂半导体层； 去除所述第二区对应的所述掺杂源层； 形成第一电极，所述第一电极与所述第二区对应的所述掺杂半导体层电接触。
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