江西联创超导技术有限公司戴少涛获国家专利权
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龙图腾网获悉江西联创超导技术有限公司申请的专利一种超导磁体骨架、超导磁体及单晶炉装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120914004B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511445880.8,技术领域涉及:H01F27/30;该发明授权一种超导磁体骨架、超导磁体及单晶炉装置是由戴少涛;余俊炜;张立明;胡磊;钟巧明;伍锐;伍铭越设计研发完成,并于2025-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超导磁体骨架、超导磁体及单晶炉装置在说明书摘要公布了:本申请涉及超导磁体技术领域,具体公开了一种超导磁体骨架、超导磁体及单晶炉装置,骨架包括支撑架和上下绕线骨架,上下绕线骨架可拆卸连接于支撑架上下端面,上绕线骨架设置有沿径向延伸的第一上侧挡部和第一下侧挡部,下绕线骨架设置有沿径向延伸的第二上侧挡部和第二下侧挡部;第一上侧挡部与第一下侧挡部之间,及第二上侧挡部与第二下侧挡部之间形成上绕线腔与下绕线腔;且第一上侧挡部与第二下侧挡部沿径向凸出于第一下侧挡部及第二上侧挡部;第一拉杆两端连接第一上侧挡部与第二下侧挡部;该设置提高骨架的结构强度以及稳定性,同时,超导磁体设置的导冷组件以及磁体悬挂,提高散热性能、超导磁体的结构稳定性以及磁场均匀性。
本发明授权一种超导磁体骨架、超导磁体及单晶炉装置在权利要求书中公布了:1.一种超导磁体,其特征在于,包括: 真空杜瓦,所述真空杜瓦为封闭的空心圆环柱状结构,所述真空杜瓦的中心围设成通孔; 冷屏,所述冷屏容纳于所述真空杜瓦内,且所述冷屏为空心圆环柱状结构; 超导磁体骨架,所述超导磁体骨架容纳于所述冷屏内,包括支撑架、上绕线骨架、下绕线骨架以及第一拉杆,所述支撑架沿第一方向相对端分别连接有所述上绕线骨架和所述下绕线骨架,所述上绕线骨架设置有沿所述支撑架径向延伸的第一上侧挡部和第一下侧挡部,所述下绕线骨架设置有沿所述支撑架径向延伸的第二上侧挡部和第二下侧挡部;所述第一上侧挡部与所述第一下侧挡部之间,以及所述第二上侧挡部与第二下侧挡部之间分别形成上绕线腔与下绕线腔;且所述第一上侧挡部与所述第二下侧挡部沿径向凸出于所述第一下侧挡部及所述第二上侧挡部;所述第一拉杆沿所述第一方向两端分别连接于所述第一上侧挡部与所述第二下侧挡部; 上线圈和下线圈,分别绕制于所述上绕线腔与所述下绕线腔内; 导冷组件,容纳于所述冷屏内,所述导冷组件包括设于所述上绕线骨架顶表面的导冷铜板,设于所述上线圈以及所述下线圈表面的铜皮,以及分别与所述铜皮及所述导冷铜板连接的主导冷件,所述导冷铜板的顶表面设置有第一铜箔,二级冷头通过所述第一铜箔与所述导冷铜板连接,所述主导冷件一端延伸至靠近所述下绕线骨架,并通过第二铜箔与所述下绕线骨架的底端面连接;所述导冷组件还包括与所述铜皮连接的带弧导冷铜板,所述带弧导冷铜板与所述主导冷件连接; 设于所述真空杜瓦内的磁体悬挂,所述磁体悬挂包括第二拉杆以及环氧侧顶杆,所述第二拉杆沿所述第一方向依次与所述真空杜瓦、所述冷屏、所述第一上侧挡部以及所述第二下侧挡部连接;所述环氧侧顶杆一端与所述支撑架的外侧壁连接,另一端沿着径向贯穿所述冷屏并与所述真空杜瓦的内侧壁连接; 制冷机,所述制冷机设置有穿设所述真空杜瓦及所述冷屏的一级冷头及二级冷头,所述一级冷头与所述冷屏导冷连接,以及所述二级冷头与所述主导冷件导冷连接; 其中,所述通孔的直径D与所述上线圈和所述下线圈沿所述第一方向之间的中心间距L1满足:0.88<DL1<0.93。
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