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龙图腾网获悉杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)申请的专利钇掺杂锑碲相变存储材料势函数模型的构建方法及势函数模型获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120913724B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511431991.3，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权钇掺杂锑碲相变存储材料势函数模型的构建方法及势函数模型是由李开旗;刘宾;孙志梅;周健设计研发完成，并于2025-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本钇掺杂锑碲相变存储材料势函数模型的构建方法及势函数模型在说明书摘要公布了：本发明涉及材料科学技术领域，具体涉及一种钇掺杂锑碲相变存储材料势函数模型的构建方法及势函数模型，其中钇掺杂锑碲相变存储材料势函数模型的构建方法包括以下步骤：获取数据集，其中数据集包括多条训练数据，每条训练数据包括Y‑Sb‑Te模型、及与Y‑Sb‑Te模型相对应的材料性质；利用数据集对预设的NEP模型进行训练，得到钇掺杂锑碲相变存储材料的势函数模型。其解决了当前机器学习势效率低下的问题，可在图形计算卡下加速计算，实现接近于经典势函数的计算效率；同时弥补了经典势函数无法适用于多相多构型的复杂势能面场景的缺点，实现了接近于第一性原理精度的分子动力学模拟。

本发明授权钇掺杂锑碲相变存储材料势函数模型的构建方法及势函数模型在权利要求书中公布了：1.一种钇掺杂锑碲相变存储材料势函数模型的构建方法，其特征在于，包括： 获取数据集，其中所述数据集包括多条训练数据，每条训练数据包括Y-Sb-Te模型、及与所述Y-Sb-Te模型相对应的材料性质；其中所述材料性质包括位力应力； 利用所述数据集对预设的NEP模型进行训练，得到钇掺杂锑碲相变存储材料的势函数模型； 所述Y-Sb-Te模型包括Y-Sb-Te晶相模型、Y-Sb-Te晶相微扰模型、Y-Sb-Te液相模型、Y-Sb-Te液相微扰模型、Y-Sb-Te非晶模型、Y-Sb-Te非晶微扰模型；所述获取数据集包括： 获取Y-Sb-Te晶相模型； 对所述Y-Sb-Te晶相模型进行熔化-快速冷却模拟，得到所述Y-Sb-Te液相模型和所述Y-Sb-Te非晶模型； 分别对所述Y-Sb-Te晶相模型、所述Y-Sb-Te液相模型和所述Y-Sb-Te非晶模型利用预设的随机微扰算法进行微扰，得到所述Y-Sb-Te晶相微扰模型、所述Y-Sb-Te液相微扰模型和所述Y-Sb-Te非晶微扰模型； 将所述Y-Sb-Te晶相模型、所述Y-Sb-Te晶相微扰模型、所述Y-Sb-Te液相模型、所述Y-Sb-Te液相微扰模型、所述Y-Sb-Te非晶模型和所述Y-Sb-Te非晶微扰模型进行第一性原理计算，得到与所述Y-Sb-Te晶相模型、所述Y-Sb-Te晶相微扰模型、所述Y-Sb-Te液相模型、所述Y-Sb-Te液相微扰模型、所述Y-Sb-Te非晶模型和所述Y-Sb-Te非晶微扰模型相对应的材料性质； 所述分别对所述Y-Sb-Te晶相模型、所述Y-Sb-Te液相模型和所述Y-Sb-Te非晶模型利用预设的随机微扰算法进行微扰，得到所述Y-Sb-Te晶相微扰模型、所述Y-Sb-Te液相微扰模型和所述Y-Sb-Te非晶微扰模型包括： 分别对所述Y-Sb-Te晶相模型、所述Y-Sb-Te液相模型和所述Y-Sb-Te非晶模型利用所述随机微扰算法进行晶胞形状微扰和原子位置微扰，得到所述Y-Sb-Te晶相微扰模型、所述Y-Sb-Te液相微扰模型和所述Y-Sb-Te非晶微扰模型；其中所述晶胞形状微扰的条件为：a,b,c三轴长度在±4%~6%范围内进行随机的拉伸或压缩，α，β，γ三个夹角在±4%~5%范围内进行随机变形；所述原子位置微扰的条件为：x,y,z三个坐标在±4%~5%的范围内进行随机偏移远离初始位置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)，其通讯地址为：311115 浙江省杭州市余杭区瓶窑镇双红桥街166号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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