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龙图腾网获悉深圳市美浦森半导体有限公司申请的专利超结与SiC集成的高效散热方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120911367B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511445956.7，技术领域涉及：G06F30/28；该发明授权超结与SiC集成的高效散热方法及系统是由蔡远飞;何昌;李俊峰设计研发完成，并于2025-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本超结与SiC集成的高效散热方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及功率半导体技术领域，一种超结与SiC集成的高效散热方法及系统，包括：对超结硅外延片进行过渡层沉积，得到过渡超结晶圆，利用过渡超结晶圆进行低温键合，得到异构集成晶圆，对异构集成晶圆进行减薄激活，得到减薄异构晶圆，利用激活碳化硅层及散热路径进行微流道构建，得到密封微流道，对密封微流道进行冷却性能检测，获取最优散热路径，对最优散热路径进行冷却，并记录器件输出功率，得到输出功率集，基于梯度流速及输出功率集获取最优流速，基于最优散热路径及最优流速获取多个散热晶圆，对多个散热晶圆进行可靠性验证，得到多个合格散热晶圆。本发明可解决超结与SiC集成因热积聚导致的性能衰减与可靠性下降的问题。

本发明授权超结与SiC集成的高效散热方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种超结与SiC集成的高效散热方法，其特征在于，所述方法包括： 获取多个超结硅外延片，对多个超结硅外延片中的每一个超结硅外延片均执行如下操作： 对超结硅外延片进行过渡层沉积，得到过渡超结晶圆； 利用所述过渡超结晶圆在预确认的活化条件下进行低温键合，得到异构集成晶圆； 对所述异构集成晶圆进行减薄激活，得到减薄异构晶圆，其中，减薄异构晶圆包括激活碳化硅层； 获取三个散热路径，分别对三个散热路径中的每个散热路径均执行以下操作： 利用激活碳化硅层及散热路径进行微流道构建，得到密封微流道； 所述利用激活碳化硅层及散热路径进行微流道构建，得到密封微流道，包括： 获取多组组合参数； 利用多组组合参数分别对预确认的测试硅层进行刻蚀标准测试，得到多个刻蚀沟槽； 基于多个刻蚀沟槽获取多个沟槽参数集，其中，沟槽参数集包括沟槽深度、沟槽宽度及底面粗糙度； 对多个沟槽参数集中的每一个沟槽参数集均执行如下操作： 利用沟槽参数集中的沟槽深度、沟槽宽度及底面粗糙度计算刻蚀评分； 汇总所述刻蚀评分，得到多个刻蚀评分； 基于所述多个刻蚀评分获取最大刻蚀评分，将最大刻蚀评分所对应的组合参数作为最终加工参数； 利用所述散热路径及最终加工参数对激活碳化硅层进行激光刻蚀，得到微流道凹槽； 将预确认的硅盖板与所述微流道凹槽进行键合，得到密封微流道； 对密封微流道进行冷却性能检测，得到冷却性能评分； 汇总所述冷却性能评分，得到三个冷却性能评分，基于所述三个冷却性能评分获取最优散热路径； 利用最优散热路径按预设的多个梯度流速进行冷却，并记录器件输出功率，得到输出功率集； 基于梯度流速及输出功率集获取最优流速； 基于最优散热路径、最优流速及减薄异构晶圆获取散热晶圆，汇总所述散热晶圆，得到多个散热晶圆； 对多个散热晶圆进行可靠性验证，得到多个合格散热晶圆。

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