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龙图腾网获悉苏州博志金钻科技有限责任公司申请的专利一种超薄金刚石载板及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120888893B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511416353.4，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权一种超薄金刚石载板及其制备方法和应用是由潘远志;靳世旭;刘鑫;赵竞飞设计研发完成，并于2025-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超薄金刚石载板及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于电子封装载板技术领域，公开了一种超薄金刚石载板及其制备方法和应用，制备方法包括：选取异质衬底，进行清洗、种晶后引入牺牲层；通过化学气相沉积在经过步骤一预处理后的衬底上生长出致密连续的超薄金刚石膜；对金刚石薄膜依次进行表面清洁、活化和改性；在金刚石载板表面构建导电布线和散热基底所需的金属层结构；将已沉积在异质基底上的超薄金刚石膜从基底分离，获得自支撑的金刚石载板；显著提升封装基板的导热性能，并能够制备可控厚度的超薄结构；提供可靠的金刚石膜异质衬底生长与剥离工艺，使薄膜能够方便地从生长基底上获得独立载板；增强载板表面的金属化附着力，支持在基板表面进行高密度电路图案化，提高封装可靠性。

本发明授权一种超薄金刚石载板及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种超薄金刚石载板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、选取异质衬底，进行清洗、种晶后引入牺牲层；衬底包括金属衬底和非金属衬底；金属衬底采用偏压等离子种晶，并通过在金属基底表面热氧化长出氧化薄层引入牺牲层；非金属衬底采用机械种晶，并通过表面溅射金属薄层引入牺牲层； 步骤二、通过化学气相沉积在经过步骤一预处理后的衬底上生长出致密连续的超薄金刚石膜； 所述的超薄金刚石膜的生长方法包括： S1、以衬底的牺牲层的一面为沉积面，在气相沉积设备中通入甲烷氢气混合气，设置压力为1~3kPa，甲烷浓度5~20%，保持基片温度750~850℃，热丝温度2000~2300℃，沉积时间0.5~2h； S2、调整压力至3~10kPa，甲烷浓度1~5%，并添加O2或CO20.1~1%，保持基片温度850~950℃，热丝温度2000~2300℃，沉积时间0.5~2h； S3、沉积完成后，以5~10℃min的降温速率逐步降低腔体温度至室温，取出沉积有超薄金刚石膜的衬底； 步骤三、对金刚石薄膜依次进行表面清洁、活化和改性； 所述的金刚石表面的改性方法包括用浓HNO3或HNO3+HF混合酸在60~80℃下氧化30~40min，或者采用反应离子刻蚀器氟等离子体处理5~15min，引入官能团； 步骤四、在金刚石载板表面构建导电布线和散热基底所需的金属层结构； 步骤五、将已沉积在异质基底上的超薄金刚石膜从基底分离，获得自支撑的金刚石载板。

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