杭州清芯微电子有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州清芯微电子有限公司申请的专利一种具有背侧超结结构的碳化硅MOS器件及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120882058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511374455.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种具有背侧超结结构的碳化硅MOS器件及其制备工艺是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有背侧超结结构的碳化硅MOS器件及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有背侧超结结构的碳化硅MOS器件及其制备工艺，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极以及栅极，所述半导体外延层包括N衬底层、N扩散层、P+层、N阱层以及P阱层，单个所述MOS元胞的中间区域且位于N衬底层和N扩散层之间通过离子注入形成有N型柱，所述N型柱的内容设置有若干个互不接触的超结P柱。本发明通过在N型柱内设置多个互不接触的超结P柱，并在其两侧设置P型柱，有效优化了电场分布，显著提高了器件的击穿电压，同时保持了较低的导通电阻，增强了器件在高压应用中的可靠性和稳定性。
本发明授权一种具有背侧超结结构的碳化硅MOS器件及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种具有背侧超结结构的碳化硅MOS器件，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、源极2以及栅极3，所述半导体外延层包括N衬底层4、N扩散层5、P+层6、N阱层7以及P阱层8，其特征在于：单个所述MOS元胞的中间区域且位于N衬底层4和N扩散层5之间通过离子注入形成有N型柱10，所述N型柱10的内容设置有若干个互不接触的超结P柱11； 单个所述MOS元胞中且位于N型柱10的两侧均通过离子注入形成有P型柱9; 单个所述MOS元胞中N扩散层5的内部通过离子注入形成有N+中间层12； 所述N+中间层12的截面轮廓呈“U”字形状，并且该N+中间层12的两个端部分别与向量两侧的P阱层8接触。
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