杭州清芯微电子有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州清芯微电子有限公司申请的专利一种新型共漏双MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120882051B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511404025.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种新型共漏双MOSFET器件及其制备方法是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型共漏双MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种新型共漏双MOSFET器件及其制备方法，所述栅极的截面轮廓呈倒置的“凹”字形状，并且位于栅极的下方贯穿设置有离子注入层，单个所述MOS元胞中的离子注入层贯穿该半导体外延层，并将漏极、N衬底层和N扩散层划分为两个部分；所述N扩散层的内部且位于离子注入层的左右两侧均设有竖N+层。本发明通过贯穿外延层的特定离子注入层结构，将漏极、N衬底层和N扩散层有效划分为两个部分，形成独特的共漏双MOS元胞布局，该结构显著拓展了电流导通路径，实现了电流在横向与纵向上的均匀扩展，从而大幅降低了器件的导通电阻，提高了整体电流容量和耐压能力，适用于高功率应用场景。
本发明授权一种新型共漏双MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种新型共漏双MOSFET器件，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、源极3、栅极2以及覆盖在栅极2表面的栅氧化层，所述半导体外延层包括N衬底层4、N扩散层5、P+层8、N阱层9以及P阱层10，其特征在于：所述栅极2的截面轮廓呈倒置的“凹”字形状，并且位于栅极2的下方贯穿设置有离子注入层，单个所述MOS元胞中的离子注入层贯穿该半导体外延层，并将漏极1、N衬底层4和N扩散层5划分为两个部分； 所述N扩散层5的内部且位于离子注入层的左右两侧均设有竖N+层7，该竖N+层7的上下两端分别与栅氧化层和N衬底层4直接接触；所述离子注入层包括为N+连接层6； 所述N+连接层6的内部通过离子注入形成有若干个互不接触的P-颗粒11。
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