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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体电性量测结构、量测装置及量测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120878709B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511405025.4，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权一种半导体电性量测结构、量测装置及量测方法是由李宁;冯玲;陈依柏;王祖明;闻磊设计研发完成，并于2025-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体电性量测结构、量测装置及量测方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体电性量测结构，包括测试阵列，测试阵列包括多个测试单元，且多个测试单元呈矩阵分布，其中测试单元包括至少两个晶体管，且多个晶体管依次电性连接，在测试单元中，相邻的晶体管共用同一电极；在测试阵列中，部分测试单元的中间电极接地，且边缘电极作为第一信号输出端，另一部分测试单元的中间电极作为第二信号输出端，且边缘电极接地；当晶体管的电极处于高电阻状态，测试单元的输出电流减小，且输出电流的降幅范围表征出测试单元中处于高电阻状态的电极类型。本发明能够监测到大量密集过孔中存在的少量缺陷过孔分布行为，且定位到缺陷过孔位置。

本发明授权一种半导体电性量测结构、量测装置及量测方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体电性量测结构，其特征在于，包括测试阵列，所述测试阵列包括多个测试单元、多个第一过孔、第一金属层和第二金属层，且多个所述测试单元呈矩阵分布，其中所述测试单元包括两个晶体管，所述测试单元中的所述两个晶体管的类型相同，且所述两个晶体管依次电性连接，在所述测试单元中，相邻的所述晶体管共用同一电极，所述同一电极为源极电极或漏极电极，所述晶体管的源极电极和漏极电极分别与多个第一过孔的第一端连接，所述第一金属层电性连接与部分所述第一过孔的第二端，且所述第一金属层接地，所述第二金属层电性连接于另一部分所述第一过孔的第二端，且所述第二金属层作为测试阵列的信号输出端，并与上位机电性连接； 在所述测试阵列中，部分所述测试单元的中间电极通过所述第一过孔连接所述第一金属层，并接地，且边缘电极通过所述第一过孔连接所述第二金属层，并作为第一信号输出端，另一部分所述测试单元的中间电极通过所述第一过孔连接所述第二金属层，并作为第二信号输出端，且边缘电极通过所述第一过孔连接第一金属层，并接地，其中，所述中间电极为所述测试单元中相邻所述晶体管的共用电极，所述边缘电极为所述测试单元中位于所述晶体管连接链边缘的非共用电极； 当所述晶体管的电极处于高电阻状态，所述测试单元的输出电流减小，且所述输出电流的降幅范围表征出所述测试单元中处于高电阻状态的电极类型，进而确定与所述处于高阻状态的电极电连接的第一过孔。

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