北京师范大学珠海校区孙彦威获国家专利权
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龙图腾网获悉北京师范大学珠海校区申请的专利一种晶格缺陷ZIF-8膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120827819B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511262288.4，技术领域涉及：B01D71/72；该发明授权一种晶格缺陷ZIF-8膜及其制备方法和应用是由孙彦威;王耀辉;边正然;侯天乐设计研发完成，并于2025-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶格缺陷ZIF-8膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶格缺陷ZIF‑8膜及其制备方法和应用，属于膜分离技术领域。将涂覆ZnO过渡层的基底浸入锌金属源溶液和配体溶液的混合液中，室温下反应得到膜片，用有机溶剂冲洗、浸泡所述膜片，干燥，得到ZIF‑8膜；将所述ZIF‑8膜在空气环境中焙烧，得到晶格缺陷ZIF‑8膜。本发明通过ZnO过渡层与液相Zn2+2+协同优化成核生长动力学，解决了MOF‑基底界面结合难题，制备得到超薄连续膜，此外，本发明利用Zn‑N键低热稳定性特性，在300‑350℃窗口定向构筑富未配位金属位点的晶格缺陷。
本发明授权一种晶格缺陷ZIF-8膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种晶格缺陷ZIF-8膜在盐水中染料分子脱除中的应用，其特征在于， 所述晶格缺陷ZIF-8膜的制备方法包括以下步骤：将涂覆ZnO过渡层的基底浸入锌金属源溶液和配体溶液的混合液中，室温下反应得到膜片，使用有机溶剂冲洗、浸泡所述膜片，干燥，得到ZIF-8膜；将所述ZIF-8膜在空气环境中焙烧，得到晶格缺陷ZIF-8膜；所述焙烧为以1℃min升温至350℃，再保温焙烧2h。
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