河北美泰电子科技有限公司王伟强获国家专利权
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龙图腾网获悉河北美泰电子科技有限公司申请的专利一种基于混合键合的MEMS环行器及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120824532B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510877388.1,技术领域涉及:H01P1/38;该发明授权一种基于混合键合的MEMS环行器及其制备方法是由王伟强;汪蔚;田松杰;段召腾;麻亚鑫;曹恒设计研发完成,并于2025-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于混合键合的MEMS环行器及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种基于混合键合的MEMS环行器及其制备方法,涉及MEMS环行器技术领域。本发明采用先晶圆键合后刻蚀开口腔的方式,键合时键合面无凹陷结构,平整的键合面承载键合压力,提升了键合可靠性。采用混合键合,介质区隔离金属区电路,起到电信号隔离与漏电防护作用,增加了器件可靠性。另外,针对先键合后刻蚀导致的刻蚀金属污染刻蚀设备的问题,基于混合键合工艺本身具有的生长介质层步骤,在第一晶圆待刻腔区域设置介质区,可在刻蚀步骤贯穿第一晶圆到介质区停止,避免刻蚀到第二晶圆的金属区,避免刻蚀金属污染刻蚀设备。由此,利用混合键合工艺本身的生长介质步骤,既简化了工艺步骤,又解决了刻蚀设备污染问题。
本发明授权一种基于混合键合的MEMS环行器及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种基于混合键合的MEMS环行器制备方法,其特征在于,包括: 在第一晶圆的正面,制备第一混合键合层;所述第一混合键合层在待刻腔区域内为介质区,在待刻腔区域外为交替分布的介质区和金属区; 在第二晶圆的正面,制备与第一混合键合层的区域划分相同的第二混合键合层;所述第二混合键合层在待刻腔区域为金属区,在待刻腔区域外为与第一混合键合层相同的介质区和金属区;在待刻腔区域外,第一混合键合层的介质区对应第二混合键合层的介质区,第一混合键合层的金属区对应第二混合键合层的金属区; 将第一晶圆与第二晶圆的正面相向贴合后进行混合键合,得到键合后晶圆; 键合后,刻蚀第一晶圆背面的待刻腔区域,直至贯穿第一晶圆到介质区停止,制备得到开口腔; 去除开口腔内介质区并在开口腔内集成铁氧体,制备得到MEMS环行器。
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