河北美泰电子科技有限公司王伟强获国家专利权
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龙图腾网获悉河北美泰电子科技有限公司申请的专利一种晶圆级异质集成的MEMS环行器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120824531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510877384.3，技术领域涉及：H01P1/38；该发明授权一种晶圆级异质集成的MEMS环行器及其制备方法是由王伟强;汪蔚;田松杰;段召腾;麻亚鑫;曹恒设计研发完成，并于2025-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆级异质集成的MEMS环行器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆级异质集成的MEMS环行器及其制备方法，涉及MEMS环行器技术领域。该方法包括在第一晶圆的正面刻蚀开口腔；将铁氧体安装固定在所述开口腔内，得到集成铁氧体的第一晶圆；所述铁氧体的高度大于开口腔的深度；对集成铁氧体的第一晶圆的正面进行磨抛，得到磨抛后第一晶圆；其中，磨抛后第一晶圆中开口腔的深度与铁氧体的高度相同；在第二晶圆的正面制备电路层，得到电路制备后第二晶圆；将磨抛后第一晶圆的正面与电路制备后第二晶圆的正面进行键合，得到MEMS环行器。本发明能够通过采用晶圆级集成铁氧体、晶圆磨抛和晶圆键合方式，得到MEMS环行器，以降低铁氧体尺寸精度对MEMS环行器的电性能的影响。
本发明授权一种晶圆级异质集成的MEMS环行器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级异质集成的MEMS环行器的制备方法，其特征在于，包括： 在第一晶圆的正面刻蚀开口腔； 将铁氧体安装固定在所述开口腔内，得到集成铁氧体的第一晶圆；所述铁氧体的高度大于开口腔的深度； 对集成铁氧体的第一晶圆的正面进行磨抛，得到磨抛后第一晶圆；其中，磨抛后第一晶圆中开口腔的深度与铁氧体的高度相同； 在第二晶圆中制备电路层，得到电路制备后第二晶圆； 将磨抛后第一晶圆的正面与电路制备后第二晶圆的正面进行键合，得到MEMS环行器。
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