粤芯半导体技术股份有限公司鄢江兵获国家专利权
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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种金属互连方法、半导体器件制备方法以及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120824260B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511337612.4，技术领域涉及：H10W20/41；该发明授权一种金属互连方法、半导体器件制备方法以及半导体器件是由鄢江兵;陈献龙;李振文设计研发完成，并于2025-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金属互连方法、半导体器件制备方法以及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种金属互连方法、半导体器件制备方法以及半导体器件。本申请实施例提供的技术方案通过在光学功能层上蚀刻出第一预设图案，在蚀刻出所述第一预设图案的所述光学功能层上依次沉积第一金属层和介质层，在所述第一金属层和所述介质层上蚀刻出第二预设图案，并在蚀刻出所述第二预设图案的所述第一金属层和所述介质层上沉积第二金属层，使得第二金属层与所述第一金属层互连，不需要控制第一金属层的剩余厚度，可避免利用金属层作为蚀刻停止层，避免因蚀刻选择比低难以控制第一金属层的剩余厚度，导致器件性能受影响的情况，可有效提高金属层互连效果。
本发明授权一种金属互连方法、半导体器件制备方法以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种金属互连方法，其特征在于，包括： 在光学功能层上蚀刻出第一预设图案； 在蚀刻出所述第一预设图案的所述光学功能层上依次沉积第一金属层和介质层； 在所述第一金属层和所述介质层上蚀刻出第二预设图案，所述第二预设图案的镂空位置与所述第一预设图案的镂空位置对应，所述第二预设图案的镂空位置穿透所述第一金属层和所述介质层； 在蚀刻出所述第二预设图案的所述第一金属层和所述介质层上沉积第二金属层，其中，所述第二金属层在与所述第二预设图案中镂空位置对应位置与所述第一金属层接触互连。
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