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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120731674B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202480013001.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置是由加藤亮;大河亮介;吉井亮;安田英司设计研发完成，并于2024-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：一种包括纵型MOS晶体管10的半导体装置1，纵型MOS晶体管10具有：从低浓度杂质层33的上表面贯通体区18而形成的在第一方向上延伸的多个第一沟槽17；以及从低浓度杂质层33的上表面贯通体区18而被形成为比多个第一沟槽17深且在第一方向上延伸的多个第二沟槽27，多个第一沟槽17与多个第二沟槽27在第二方向上交替配置，在多个第一沟槽17的内部和多个第二沟槽27的内部的上部侧形成有与栅极电极19连接的第一导体15，在多个第二沟槽27的内部的下部侧形成有与源极电极11连接第二导体25，在第二方向上，第二导体25的间隔是第一导体15的间隔的两倍。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，是包括纵型MOS晶体管的半导体装置， 所述纵型MOS晶体管具有： 第一导电型的半导体衬底； 所述第一导电型的低浓度杂质层，被形成在所述半导体衬底上且与所述半导体衬底相接，所述低浓度杂质层中的杂质的浓度比所述半导体衬底的杂质的规定的浓度低； 第二导电型的体区，被形成在所述低浓度杂质层，所述第二导电型与所述第一导电型不同； 所述第一导电型的源极区域，被形成在所述体区； 源极电极，与所述体区以及所述源极区域电连接； 多个第一沟槽，从所述低浓度杂质层的上表面贯通所述体区而一直形成到所述低浓度杂质层的一部分为止的深度，所述多个第一沟槽在与所述低浓度杂质层的上表面平行的第一方向上延伸，且具有与所述源极区域接触的部分；以及 多个第二沟槽，从所述低浓度杂质层的上表面贯通所述体区而被形成为比所述多个第一沟槽深，所述多个第二沟槽在所述第一方向上延伸，且具有与所述源极区域接触的部分， 所述多个第一沟槽与所述多个第二沟槽在第二方向上被交替配置，所述第二方向是与所述低浓度杂质层的上表面平行且与所述第一方向正交的方向， 在所述多个第一沟槽的内部和所述多个第二沟槽的内部的上部侧形成有与所述纵型MOS晶体管的栅极电极连接的第一导体， 在所述多个第二沟槽的内部的下部侧形成有与所述第一导体分离且与所述源极电极连接的第二导体， 所述第二方向上的所述第二导体的间隔是所述第二方向上的所述第一导体的间隔的两倍， 在所述第二方向上相邻的一组所述第一导体最接近距离的中点与在所述第二方向上相邻的该第一导体的间隔的中点相比，更靠近所述第一沟槽侧。

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