广东长兴半导体科技有限公司张治强获国家专利权
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龙图腾网获悉广东长兴半导体科技有限公司申请的专利一种芯片封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120659338B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510951227.2，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权一种芯片封装结构是由张治强;郭东林;杨师;牛玉雷设计研发完成，并于2025-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片封装结构在说明书摘要公布了：为克服现有多层芯片封装结构存在耐温性、可靠性和使用寿命不足的问题，本发明提供了一种芯片封装结构，包括基板、芯片和封装层，所述封装层和所述芯片位于所述基板上，且所述封装层包覆所述芯片，所述芯片包括多个存储芯片，多个所述存储芯片呈阶梯式错位层叠设置，以在多个所述存储芯片的一侧分别形成有阶梯面，所述存储芯片在所述阶梯面的位置设置有至少一个焊盘，相邻两个所述存储芯片的焊盘之间通过设置有引线相互连接，所述封装层的玻璃化转变温度为210℃~250℃，介电常数为2.8~3.2，拉伸强度为115~141MPa，断裂伸长率为5.7%~8%。
本发明授权一种芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括基板、芯片和封装层，所述封装层和所述芯片位于所述基板上，且所述封装层包覆所述芯片，所述芯片包括多个存储芯片，多个所述存储芯片呈阶梯式错位层叠设置，以在多个所述存储芯片的一侧分别形成有阶梯面，所述存储芯片在所述阶梯面的位置设置有至少一个焊盘，相邻两个所述存储芯片的焊盘之间通过设置有引线相互连接，所述封装层的玻璃化转变温度为210℃~250℃，介电常数为2.8~3.2，拉伸强度为115~141MPa，断裂伸长率为5.7%~8%。
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