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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种倒装高压发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120640855B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511120427.X，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种倒装高压发光二极管芯片及其制备方法是由李文涛;邹燕玲;张存磊;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2025-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倒装高压发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED芯片技术领域，本发明公开了一种倒装高压发光二极管芯片及其制备方法，所述倒装高压发光二极管芯片包括衬底和层叠于衬底上的外延结构，外延结构包括外延层，外延层上形成有N型导电台阶和隔离槽，所述隔离槽将外延结构分隔为若干个独立发光单元，相邻的发光单元通过连接层电性连接，外延层上设置有反射层和绝缘层，所述绝缘层覆盖所述反射层并填充于所述隔离槽中，其中，相邻两个所述发光单元之间，所述隔离槽的夹角为α，所述绝缘层包括位于所述隔离槽中的第一绝缘层，所述第一绝缘层的夹角为θ，α＞θ。实施本发明，能在提升LED芯片发光亮度的基础上，大幅提升其抗静电击穿能力。

本发明授权一种倒装高压发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装高压发光二极管芯片，其特征在于，包括衬底和层叠于所述衬底上的外延结构； 所述外延结构包括外延层，所述外延层上形成有N型导电台阶和隔离槽，所述隔离槽将所述外延结构分隔为若干个独立发光单元，相邻的所述发光单元通过连接层电性连接，所述外延层上设置有反射层和绝缘层，所述绝缘层覆盖所述反射层并填充于所述隔离槽中，所述绝缘层上形成有贯穿至所述N型导电台阶的第一开孔以及相邻发光单元中贯穿至所述反射层的第二开孔，所述连接层的一端通过所述第一开孔与所述N型导电台阶相连接，另一端通过所述第二开孔与所述反射层相连接； 所述绝缘层上设置有布拉格反射层和焊盘层，所述焊盘层穿过所述布拉格反射层分别与所述反射层和相邻发光单元中的外延层相接触； 其中，相邻两个所述发光单元之间，所述隔离槽的夹角为α，所述绝缘层包括位于所述隔离槽中的第一绝缘层，所述第一绝缘层的夹角为θ，40°≤α-θ≤60°；所述θ为15°-40°。

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