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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种面向功耗面积可切换的标准单元版图自动生成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120524878B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510597736.X，技术领域涉及：G06F30/32；该发明授权一种面向功耗面积可切换的标准单元版图自动生成方法是由李斌;雷宗翰;吴朝晖;黄文礼;秦朝政设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种面向功耗面积可切换的标准单元版图自动生成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种面向功耗面积可切换的标准单元版图自动生成方法，涉及LELE光刻‑蚀刻‑光刻‑蚀刻技术，对电路网表进行数据预处理；将预处理后所述的电路网表中的NMOS管和PMOS管分别进行源漏共用操作，得到面积最优的布局；将预处理后所述的电路网表中的NMOS管和PMOS管进行栅极配对操作构成MOS管对，对所述MOS管对进行源漏共用操作，得到功耗最优的布局；基于工艺库的设计规则参数进行网格化建模，建立格点画布；将所述面积最优的布局和功耗最优的布局加入到所述格点画布中，并通过A星算法模拟人工布线，得到指标最优的版图。本发明依据两种单独布局策略，结合工艺设计规则创建网格布局，使用算法模拟人工布线，从而实现布局布线全流程的可行性。

本发明授权一种面向功耗面积可切换的标准单元版图自动生成方法在权利要求书中公布了：1.一种面向功耗面积可切换的标准单元版图自动生成方法，其特征在于，该方法为： 对电路网表进行数据预处理； 将预处理后所述的电路网表中的NMOS管和PMOS管分别进行源漏共用操作，得到面积最优的布局； 其中，将预处理后所述的电路网表中的NMOS管和PMOS管分别进行源漏共用操作，具体为： 通过深度搜索优先算法分别识别NMOS管和PMOS管的S、D和G端连接信息的最长的连接路径，提取所述最长的连接路径的端点并将其压缩为一个新单元，然后递归地使用深度搜索优先算法对所述新单元进行处理，直到所有生成的新单元被简化为离散的线段，将每次迭代获得的所述最长的连接路径进行排列，得到面积最优的布局； 将预处理后所述的电路网表中的NMOS管和PMOS管进行栅极配对操作构成MOS管对，对所述MOS管对进行源漏共用操作，得到功耗最优的布局； 其中，对所述MOS管对进行源漏共用操作，具体为： 通过深度搜索优先算法对所述MOS管对进行处理，以得到源漏共用数目最多的组合顺序；将所述组合顺序中所有的MOS管对输入到模拟退火算法中进行优化，以得到功耗最优的布局； 基于工艺库的设计规则参数进行网格化建模，建立格点画布； 其中，建立格点画布的具体方法为： 提取所述工艺库的设计规则参数；设置建模约束条件为：构建间距为设计规则中定义的金属线M1的最小宽度、同层金属之间的最小间距、通孔扩孔与通孔扩孔之间的最小间距以及金属与通孔扩孔的最小间距四者中的最大值，金属线面积是否符合设计规则中对金属层最小面积的要求；构建符合工艺要求的固定宽度的格点画布； 将所述面积最优的布局和功耗最优的布局加入到所述格点画布中，并通过A星算法模拟人工布线，得到指标最优的版图； 其中，在使用A星算法模拟人工布线时，对所述格点画布设置约束：将存在的通孔扩孔、同层电源信号线和其他线网信号线归为线网布线过程中的障碍。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华南理工大学，其通讯地址为：510641 广东省广州市天河区五山路381号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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