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龙图腾网获悉青岛科芯半导体有限公司申请的专利一种碳化硅的刻蚀方法和碳化硅结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120497133B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510755211.4，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权一种碳化硅的刻蚀方法和碳化硅结构是由李向坤;薛亮;葛莹设计研发完成，并于2025-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅的刻蚀方法和碳化硅结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅的刻蚀方法和碳化硅结构，涉及半导体制造设备技术领域，一种碳化硅的刻蚀方法，包括S1：预处理，使用清理设备对待刻蚀的碳化硅衬底进行表面清洁，去除表面杂质和氧化层；S2：掩膜层形成，使用掩膜装置在碳化硅衬底表面形成掩膜层。本发明的刻蚀方法使用掩膜装置将碳化硅衬底表面形成掩膜层，在掩膜的过程中，对大尺寸的碳化硅进行旋涂供料时，可以自适应性的增大了光刻胶旋涂供料组件与碳化硅衬底上表面的高度，通过提高供料高度，使光刻胶液滴在到达衬底前获得更大初速度，抵消大尺寸碳化硅在旋转时边缘离心力的增强效应，确保边缘区域光刻胶铺展充分，提高掩膜的均匀性。

本发明授权一种碳化硅的刻蚀方法和碳化硅结构在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅的刻蚀方法，包括： S1：预处理，使用清理设备对待刻蚀的碳化硅衬底进行表面清洁，去除表面杂质和氧化层； S2：掩膜层形成，使用掩膜装置在碳化硅衬底表面形成掩膜层； S3：第一阶段刻蚀，使用刻蚀装置采用等离子体刻蚀方法，使用包含氟基气体和氧气的混合气体对所述碳化硅衬底进行刻蚀； S4：表面处理，对第一阶段刻蚀后的碳化硅表面进行等离子体处理，去除残留物； S5：第二阶段刻蚀，使用刻蚀装置采用反应离子刻蚀方法，使用包含氯基气体和辅助气体的混合气体继续刻蚀，形成所需刻蚀结构； S6：后处理步骤，去除所述掩膜层，并对刻蚀后的碳化硅结构进行清洗和退火处理； S2中所述的掩膜装置包括机体101，所述机体101上设置有控制室102，所述控制室102的前侧铰链有防护窗103，所述控制室102的内部设置有： 夹持转动组件，用于对碳化硅夹持并旋转驱动；光刻胶旋涂供料组件，用于将光刻胶朝向夹持后的碳化硅表面供料； 升降组件，用于对光刻胶旋涂供料组件升降调节； 居中定位组件，设置于夹持转动组件上用于对待夹持的碳化硅居中定位； 调节组件，设置于居中定位组件与升降组件之间用于根据实际夹持碳化硅的外径尺寸适应性调节升降组件的初始高度； 所述升降组件包括安装板401，所述控制室102与安装板401之间设置有用于辅助安装板401安装连接的连接组件； 所述连接组件包括固定于控制室102内部的多组第二套管601，所述第二套管601上滑动连接有第二滑杆602，所述第二滑杆602的一端与安装板401相固定，所述第二套管601的外侧套设有第一弹簧603，所述第一弹簧603的两端分别与控制室102的内壁及安装板401相连接； 所述居中定位组件包括固定于U型架201上端的圆形罩701，所述圆形罩701与静电卡盘203同心设置，所述圆形罩701的内部通过弹力组件连接有多组L型定位板702，且各组L型定位板702呈环形阵列的状态设置，所述L型定位板702的上端开设有用于与待处理碳化硅底部相抵传动的斜面703，各组所述L型定位板702相对的一侧开设有弧形槽704，所述弧形槽704上通过球槽转动连接有多组用于与碳化硅外侧相抵挤压的滚珠705； 所述调节组件包括固定于L型定位板702上端的条形板901，所述条形板901上固定有传动板902，所述传动板902上开设有斜槽903，所述传动板902的一侧设置有连接板904，所述连接板904的一端固定于安装板401的外侧，所述斜槽903上滑动连接有传动销905，所述传动销905的一端固定于连接板904上； 所述弹力组件包括固定于圆形罩701内部多组第三套管801，所述第三套管801上滑动连接有第三滑杆802，所述第三滑杆802的一端与L型定位板702的一侧相固定，所述第三套管801的外侧套设有第二弹簧803，所述第二弹簧803的两端分别与圆形罩701的内壁及L型定位板702相抵设置。

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