买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉杭州开幕光子技术有限公司;浙江老鹰半导体技术有限公司申请的专利一种外延结构及其制备方法、VCSEL芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120341690B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510812955.5，技术领域涉及：H01S5/125；该发明授权一种外延结构及其制备方法、VCSEL芯片是由陈耿;白志雄;陈浩;莫庆伟设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延结构及其制备方法、VCSEL芯片在说明书摘要公布了：本申请涉及一种外延结构及其制备方法、VCSEL芯片，包括：层叠设置的第一布拉格反射层及第二布拉格反射层、有源层，其中，第一布拉格反射层及第二布拉格反射层具有不同的导电类型；有源层位于第一布拉格反射层以及第二布拉格反射层之间，有源层包括多个交替堆叠的垒层和阱层，每一阱层和与其相邻的两个垒层构成一量子阱，阱层和垒层的组分和或厚度被设计以使每个量子阱在预设能级处形成的态密度基本相同。本申请的外延结构及其制备方法、VCSEL芯片使各量子阱的载流子均匀分布，从而显著提升了激光器件的辐射复合效率和光场均匀性。

本发明授权一种外延结构及其制备方法、VCSEL芯片在权利要求书中公布了：1.一种外延结构，其特征在于，包括： 层叠设置的第一布拉格反射层以及第二布拉格反射层，其中，所述第一布拉格反射层及所述第二布拉格反射层具有不同的导电类型； 有源层，位于所述第一布拉格反射层以及所述第二布拉格反射层之间，所述有源层包括多个交替堆叠的阱层和垒层，每一所述阱层和与其相邻的两个所述垒层构成一量子阱，沿所述外延结构的层叠方向，各所述量子阱的阱宽按照第一变化趋势逐渐变化；各所述量子阱的阱深按照第二变化趋势逐渐变化，所述第一变化趋势与所述第二变化趋势二者中一者为递减变化趋势，另一者为递增变化趋势；所述有源层的各所述阱层的禁带宽度按照所述第一变化趋势逐渐变化，所述有源层的各所述垒层的禁带宽度按照所述第二变化趋势逐渐变化；所述阱层和所述垒层的组分和厚度被设计以使每个所述量子阱在预设能级处形成的态密度基本相同；最靠近所述第一布拉格反射层的所述量子阱中，靠近所述第一布拉格反射层的所述垒层的禁带宽度大于远离所述第一布拉格反射层的相邻所述垒层的禁带宽度，且最靠近所述第一布拉格反射层的所述垒层的禁带宽度不大于最靠近所述第二布拉格反射层的所述垒层的禁带宽度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州开幕光子技术有限公司;浙江老鹰半导体技术有限公司，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道平澜路2118号浙江大学杭州国际科创中心水博园区B10-906室-6；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。