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龙图腾网获悉西安交通大学;金冠电气股份有限公司;上海大学申请的专利一种大通流压敏电阻片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120299842B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510441594.8，技术领域涉及：H01C7/112；该发明授权一种大通流压敏电阻片及其制备方法是由厍海波;刘亚芸;史峰;钱航;徐沛;翟鹏飞;董贝贝;朱倍倍;伍建新;刘源;郝翔飞;艾三;李盛涛;武康宁;任鑫设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大通流压敏电阻片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种大通流压敏电阻片及其制备方法，属于压敏电阻技术领域，所述压敏电阻片的原料包括：改性ZnO93～96mol％、Bi22O331.2～1.6mol％、Co33O440.5～1.5mol％、Mn22O330.3～0.8mol％、Sb22O331.0～3.0mol％、NiO0.3～0.8mol％和Li22CO330.05～0.3mol％；采用氟化季铵盐结构的硅烷偶联剂对ZnO表面进行修饰，季铵盐结构提高了ZnO的等电点，使其在较高pH下为正电荷，增强了与阴离子分散剂的相互作用，使阴离子分散剂对浆料的效果提高；通过硅烷偶联剂引入的F‑‑均匀分散ZnO表面，后续烧结时，以Li++作为扩散载体，Li++和F‑‑的协同作用可提高F‑‑在晶格中的迁移率，引入Li++和F‑‑增强ZnO压敏电阻的性质。

本发明授权一种大通流压敏电阻片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种大通流压敏电阻片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.ZnO表面改性：将ZnO加入含去离子水和乙醇的溶液中，加入氟化季铵盐结构的硅烷偶联剂，搅拌获得改性ZnO； S2.配置制备压敏电阻片的原料：改性ZnO93~96mol%、Bi2O31.2~1.6mol%、Co3O40.5~1.5mol%、Mn2O30.3~0.8mol%、Sb2O31.0~3.0mol%、NiO0.3~0.8mol%和Li2CO30.05~0.3mol%； S3.将除改性ZnO和Li2CO3外的添加剂混合，加入去离子水和阴离子分散剂配成添加剂浆料，砂磨后干燥粉碎，得到添加剂粉体，将ZnO、Li2CO3和添加剂粉体混合，加入去离子水、阴离子分散剂和粘结剂，在球磨机中球磨细化，得到总浆料； S4.总浆料进行喷雾造粒、含水陈腐和干压成型，将干压成型的坯体进行排胶处理，然后高温烧结，削磨平整后热处理，在上下端面涂覆银电极，在侧面涂布绝缘釉，得到压敏电阻； 所述排胶处理操作为： 惰性氛围下，在温度150℃时，放入坯体后密闭系统，以2~5℃min的速度升温至300℃处理，保温0.5~1h后，然后开放系统下，在300~450℃处理1~2h； 所述氟化季铵盐结构的硅烷偶联剂的结构如下所示： ；式中，R1、R2、R3、R4、R5和R6为甲基和乙基的至少一种。

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