南京大学胡小鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种铁电薄膜脊型波导中高质量铁电畴结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120215027B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510301134.5，技术领域涉及：G02B6/13；该发明授权一种铁电薄膜脊型波导中高质量铁电畴结构的制备方法是由胡小鹏;苏雅雯;祝世宁设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铁电薄膜脊型波导中高质量铁电畴结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种铁电薄膜脊型波导中高质量铁电畴结构的制备方法，包括以下步骤：根据套刻标记，在x切的铌酸锂钽酸锂薄膜表面制备波导形状轮廓，然后刻蚀出波导结构，去除电子束胶，得到铌酸锂钽酸锂薄膜波导；在波导表面添加二氧化硅覆盖层；根据套刻标记，在x切的铌酸锂钽酸锂薄膜表面制备梳状电极形状轮廓，然后镀上一层金属电极，去除光刻胶，得到极化电极结构；在一侧电极上接入电极正极，另一侧电极接地，然后施加电场，使得电极之间畴翻转，去除电极，对波导端面抛光，得到铌酸锂钽酸锂薄膜超晶格波导。本发明通过覆盖层的引入，解决了先刻蚀后极化带来的畴翻转不完全的问题。
本发明授权一种铁电薄膜脊型波导中高质量铁电畴结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铁电薄膜脊型波导中高质量铁电畴结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1制备套刻用的套刻标记， 2根据套刻标记，采用电子束光刻法在x切的铌酸锂钽酸锂薄膜表面制备波导形状轮廓； 3利用IBE离子束刻蚀在x切铌酸锂钽酸锂薄膜表面刻蚀出波导结构； 4去除电子束胶，得到铌酸锂钽酸锂薄膜波导； 5在铌酸锂钽酸锂薄膜波导表面添加覆盖层，覆盖层为二氧化硅； 6根据套刻标记，采用光刻法在x切的铌酸锂钽酸锂薄膜表面制备梳状电极形状轮廓，其中，梳指与铌酸锂z轴垂直； 7在光刻好的电极形状轮廓上镀上一层金属电极； 8去除光刻胶，得到极化电极结构； 9在一侧电极上接入电极正极，另一侧电极接地，然后施加电场，使得电极之间畴翻转； 10利用稀盐酸去除电极，得到波导区域畴翻转结构； 11对波导端面抛光，得到铌酸锂钽酸锂薄膜超晶格波导。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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