武汉理工大学钱东升获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种异质轴承环件界面多场构筑成形制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120158740B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510287773.0，技术领域涉及：C23C24/10；该发明授权一种异质轴承环件界面多场构筑成形制造方法是由钱东升;王丰;华林;易伟;邓加东设计研发完成，并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种异质轴承环件界面多场构筑成形制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种异质轴承环件界面多场构筑成形制造方法，该方法通过对轴承环件的内圈表面激光熔覆外圈材料，然后进行热轧变形，对所述轴承环件设置分区，电极按照分区分别与所述内圈和外圈接触施加电磁脉冲，制得异质轴承环件，其中，所述内圈和外圈为两种不同的材料。本发明通过光‑热‑力‑电多场协同作用，实现异质轴承环件的原子级界面结合，在实现异质轴承环件成形的同时获得了高性能异质界面，显著提高风电滑动轴承异质界面的结合强度和性能。
本发明授权一种异质轴承环件界面多场构筑成形制造方法在权利要求书中公布了：1.一种异质轴承环件界面多场构筑成形制造方法，其特征在于，对轴承环件的内圈表面激光熔覆外圈材料，然后进行热轧变形，对所述轴承环件设置分区，按照分区分别对所述轴承环件施加电磁脉冲，制得异质轴承环件，其中，所述内圈和外圈为两种不同的材料； 所述热轧变形过程中，轧制速度在0.1~0.5σC·σC-σF·mms之间，其中σC和σF分别为所述外圈和内圈材料的延伸率； 所述热轧变形过程中，轧制变形量在1~3LD·100%之间，其中L为激光熔覆层深度，D为轴承环件壁厚； 所述施加电磁脉冲的步骤包括将所述轴承环件置于电磁脉冲装置的工作区域内，将所述轴承环件设置2n个扇形分区，电极按照分区分别与所述内圈、外圈接触，所述电极对称加载于所述轴承环件；其中，n为大于等于4的整数； 所述电磁脉冲过程中，电流大小为，式中，H为轴承环件高度，f为脉冲频率，为轴承环件平均比热容，d为轴承环件平均密度，为轴承环件平均电阻率，σ为轴承环件平均延伸率。
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