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浙江驰拓科技有限公司沈岙获国家专利权

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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种存储器参考阵列修复方法、装置及介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119993243B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311500005.6,技术领域涉及:G11C16/26;该发明授权一种存储器参考阵列修复方法、装置及介质是由沈岙;任欣;熊保玉设计研发完成,并于2023-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

一种存储器参考阵列修复方法、装置及介质在说明书摘要公布了:本申请公开一种存储器参考阵列修复方法、装置及介质,涉及存储器技术领域,用于实现存储器失效参考阵列的修复,针对目前缺少修复失效参考阵列的方案的问题,提供一种存储器参考阵列修复方法,通过预先在寄存器中预先配置参考阵列的地址信息,当存储器因为外界环境出现的突然高温、磁场以及震动等情况导致阻态翻转时,即可通过预先配置的参考阵列地址信息对参考阵列全地址进行高阻态写入,实现对失效参考阵列的修复工作。当使用MTJ位元的参考阵列因为突然高温、磁场以及震动等外界因素影响出现阻态翻转时,也可以通过重写操作恢复参考阵列的全地址高阻态,更好地适应了存在温度变化的场景下存储器阻值参考的需要。

本发明授权一种存储器参考阵列修复方法、装置及介质在权利要求书中公布了:1.一种存储器参考阵列修复方法,其特征在于,应用于参考阵列,所述参考阵列包括:多个位元和一个阻值为12Rp的poly电阻;每一位元包括串联的一个MTJ和一个场效应管;多个位元之间并联,与poly电阻串联,组成所述参考阵列,得到一个阻值为12Rap+Rp的中间态参考作为初始状态; 方法包括: 从寄存器中获取预先配置的参考阵列地址信息; 遍历所述参考阵列的各所述位元,并以预设写入电压向各所述位元中写入高阻态; 读取本次写入高阻态的各所述位元的阻态情况,确定写入高阻态失败的所述位元作为目标位元; 提高所述预设写入电压的电压等级,并以新的所述预设写入电压向各所述目标位元中写入高阻态; 重复所述读取本次写入高阻态的各所述位元的阻态情况,确定写入高阻态失败的所述位元作为目标位元的步骤,直至无所述目标位元出现; 待所述参考阵列全地址写入高阻态完成后,指示存储器正常工作。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人浙江驰拓科技有限公司,其通讯地址为:311300 浙江省杭州市临安区青山湖街道崇文路1718号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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