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龙图腾网获悉成都屿西半导体科技有限公司申请的专利一种X波段非对称式单刀双掷开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119945411B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510435805.7，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种X波段非对称式单刀双掷开关是由乐梦楠;牛伟东设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种X波段非对称式单刀双掷开关在说明书摘要公布了：本发明公开了一种X波段非对称式单刀双掷开关，属于射频微电子领域。包括第一射频输入输出端、第二射频输入输出端、第三射频输入输出端、发射通道电路、匹配电路、接收通道电路、第一控制电压源、第二控制电压源；所述发射通道电路用于接收由第一射频输入输出端输入的高功率射频信号，并将其由第二射频输入输出端输出；所述匹配电路用于实现第二射频输入输出端与发射通道电路、接收通道电路之间的阻抗匹配；所述接收通道电路用于接收由第二射频输入输出端输入的射频信号，并将其由第三射频输入输出端输出。本发明的单刀双掷开关兼备功率容量高，隔离度高和插入损耗低等优点。

本发明授权一种X波段非对称式单刀双掷开关在权利要求书中公布了：1.一种X波段非对称式单刀双掷开关，其特征在于：包括第一射频输入输出端、第二射频输入输出端、第三射频输入输出端、发射通道电路、匹配电路、接收通道电路、第一控制电压源、第二控制电压源； 所述发射通道电路用于接收由第一射频输入输出端输入的高功率射频信号，并将其由第二射频输入输出端输出；所述发射通道电路包括第一并联模块和第一串联模块； 所述匹配电路用于实现第二射频输入输出端与发射通道电路、接收通道电路之间的阻抗匹配； 所述接收通道电路用于接收由第二射频输入输出端输入的射频信号，并将其由第三射频输入输出端输出；所述接收通道电路包括第二串联模块和第二并联模块； 所述第一控制电压源与所述发射通道电路的第一串联模块连接，与所述接收通道电路的第二并联模块连接；所述第二控制电压源与所述发射通道电路的第一并联模块连接，与所述接收通道电路的第二串联模块连接； 所述发射通道电路受第一控制电压源、第二控制电压源控制，第一控制电压源为高电平，第二控制电压源为低电平时发射通道电路处于导通状态，反之则处于关断状态；所述接收通道电路受第一控制电压源、第二控制电压源控制，第一控制电压源为低电平，第二控制电压源为高电平时接收通道电路处于导通状态，反之则处于关断状态； 所述发射通道电路包括第一并联模块和第一串联模块； 所述第一并联模块的输入端与第一射频输入输出端相连，输出端与第一串联模块的输入端相连；所述第一串联模块的输入端与第一并联模块相连，输出端与匹配电路的一端相连； 所述第一并联模块包含第一晶体管到第四晶体管，第一电阻到第四电阻，第一传输线到第三传输线，第一电容； 所述第一传输线一端与第一射频输入输出端相连，另一端与第一晶体管的漏极和第二传输线相连；所述第一晶体管的栅极与第一电阻相连，源极与第二晶体管的漏极相连；所述第二晶体管的栅极与第二电阻相连，源极与第一电容一端相连；所述第一电阻、第二电阻的另一端与第二控制电压源相连；所述第一电容另一端接地；所述第二传输线的另一端与第三晶体管的漏极和第三传输线相连；所述第三晶体管的栅极与第三电阻相连，源极与第四晶体管的漏极连接；所述第四晶体管的栅极与第四电阻相连，源极接地；所述第三电阻、第四电阻的另一端与第二控制电压源相连；所述第三传输线的另一端与第一串联模块的输入端相连；所述第一晶体管到第四晶体管为高电子迁移率晶体管；第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管、第四晶体管并联堆叠；所述第一电容串联在距离第二射频输入输出端最远末端第二晶体管的源极； 所述第一串联模块包含第五晶体管，第五电阻，第一电感；并联在第五晶体管源漏两极的第一电感与第五晶体管的关态寄生电容形成LC谐振回路； 所述接收通道电路包括第二串联模块和第二并联模块； 所述第二串联模块的输入端与匹配电路相连，输出端与第二并联模块的输入端相连；所述第二并联模块的输入端与第二串联模块的输出端相连，输出端与第三射频输入输出端相连； 所述第二串联模块包含第六晶体管、第七晶体管，第六电阻、第七电阻，第二电感；并联在第六晶体管漏极、第七晶体管源极的第二电感与晶体管的关态寄生电容形成LC谐振回路； 所述第二并联模块包含第八晶体管、第九晶体管，第八电阻、第九电阻，第三电容，第七传输线、第八传输线、第九传输线； 所述第七传输线一端与第二串联模块的输出端相连，另一端与第八晶体管的漏极和第八传输线相连；所述第八晶体管的栅极与第八电阻相连，源极接地；所述第八传输线的另一端与第九晶体管的漏极和第九传输线相连；所述第九晶体管的栅极与第九电阻相连，源极与第三电容的一端相连；所述第八电阻、第九电阻的另一端与第一控制电压源相连；所述第三电容的另一端接地；所述第九传输线的另一端与第三射频输入输出端相连；所述第八晶体管，第九晶体管为高电子迁移率晶体管；第六晶体管、第七晶体管串联堆叠；第三电容串联离第二射频输入输出端最远的末端第九晶体管的源极。

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