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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于TSV的可调谐电感结构及其调谐方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920602B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510050510.8，技术领域涉及：H01F38/14；该发明授权一种基于TSV的可调谐电感结构及其调谐方法是由单光宝;凡翔;郑彦文;李国良;孟宝平设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于TSV的可调谐电感结构及其调谐方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于TSV的可调谐电感结构及其调谐方法，可调谐电感结构包括原边电感和辅助电感，原边电感嵌套在辅助电感内，构成嵌套式可调谐电感结构；其中，辅助电感连接调制源，原边电感连接实际应用电路，以通过所述调制源来调控原边电感的两端口之间电压V11和辅助电感的两端口之间电压V22之间的电压差，使原边电感和辅助电感在电压V11和电压V22的作用下相互耦合，实现原边电感的感值调谐。本发明实现了由传统可调谐电感调谐范围小、面积较大、高频性能退化向基于磁耦合技术的更小面积、更宽调谐范围、可连续调谐的TSV可调谐电感结构转变。

本发明授权一种基于TSV的可调谐电感结构及其调谐方法在权利要求书中公布了：1.一种基于TSV的可调谐电感结构，其特征在于，所述可调谐电感结构包括原边电感和辅助电感，原边电感嵌套在辅助电感内，构成嵌套式可调谐电感结构；其中，辅助电感连接调制源，原边电感连接实际应用电路，以通过所述调制源来调控原边电感的两端口之间电压V1和辅助电感的两端口之间电压V2之间的电压差，使原边电感和辅助电感在电压V1和电压V2的作用下相互耦合，实现原边电感的感值调谐； 所述辅助电感包括第一TSV结构、第一微凸点、第二微凸点、第一金属RDL和第二金属RDL；其中，每个第一TSV结构位于硅衬底内；N行2列分布的第一微凸点位于硅衬底上表面的第一绝缘层内，N为大于1的整数；若干第一金属RDL位于第一绝缘层上表面的第二绝缘层内，每个第一金属RDL的两端分别连接于第n行第2列、第n+1行第1列的两个第一微凸点，n=1,2,…,N-1；将第1行第1列的第一微凸点引出的端口、第N行第2列的第一微凸点引出的端口作为辅助电感的两端口；N行2列分布的第二微凸点位于硅衬底下表面的第三绝缘层内，第二微凸点与第一微凸点一一对应，对应的第二微凸点和第一微凸点之间连接有第一TSV结构；若干第二金属RDL位于第三绝缘层下表面的第四绝缘层内，每个第二金属RDL的两端分别连接于同一行的两个第二微凸点； 所述原边电感包括第二TSV结构、第三微凸点、第四微凸点、第三金属RDL和第四金属RDL；其中，每个第二TSV结构位于硅衬底内；N行2列分布的第三微凸点位于硅衬底上表面的第一绝缘层，N为大于1的整数；若干第三金属RDL位于第一绝缘层内，第n个第三金属RDL的两端分别连接于第n行第2列、第n+1行第1列的两个第三微凸点，n=1,2,…,N-1；将第1行第1列的第三微凸点引出的端口、第N行第2列的第三微凸点引出的端口作为原边电感的两端口；N行2列分布的第四微凸点在位于第三绝缘层内，第四微凸点与第三微凸点一一对应，对应的第四微凸点和第三微凸点之间连接有第二TSV结构；若干第四金属RDL位于第三绝缘层内，每个第四金属RDL的两端分别连接于同一行的两个第四微凸点，同一行的第四金属RDL的长度小于第二金属RDL的长度； 第一TSV结构和第二TSV结构的结构相同；每个第一TSV结构包括TSV通孔、TSV绝缘层、TSV金属，TSV绝缘层位于TSV通孔的内表面，TSV金属满填充于TSV通孔内； 第一微凸点和第二微凸点的厚度为6μm；第三微凸点和第四微凸点的厚度为2μm；第一绝缘层和第三绝缘层的厚度为6μm，第二绝缘层和第四绝缘层的厚度为2μm；第一金属RDL~第四金属RDL的厚度为2μm。

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