长江存储科技有限责任公司徐文祥获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其制备方法、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119893983B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311389943.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制备方法、存储系统是由徐文祥;刘藩东;唐兆云;华文宇设计研发完成，并于2023-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法、存储系统在说明书摘要公布了：本申请实施方式提供了一种半导体器件及制备方法、存储器系统。半导体器件包括：半导体柱、隔离结构和栅极结构。半导体柱沿第一方向延伸，并包括至少一个侧面；隔离结构沿第二方向延伸，其中隔离结构在第三方向与半导体柱的部分侧面相对，第一方向、第二方向和第三方向彼此相交；栅极结构围绕半导体柱的其余侧面，其中邻近同一隔离结构的多个栅极结构对称分布在同一隔离结构在第三方向相对的两侧。
本发明授权半导体器件及其制备方法、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体柱，沿第一方向延伸，并包括至少一个侧面； 隔离结构，沿第二方向延伸，其中所述隔离结构在第三方向与所述半导体柱的部分侧面相对，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向彼此相交； 栅极结构，在垂直于所述第一方向的平面中连续延伸，并围绕所述半导体柱的其余侧面，其中所述栅极结构包括栅极介电层和栅极导体层， 其中，邻近同一隔离结构的多个所述栅极结构对称分布在所述同一隔离结构在所述第三方向相对的两侧。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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