江西兆驰半导体有限公司朱建林获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利ITO透明导电层的制备方法及LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119816026B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411937538.5，技术领域涉及：H10H20/833；该发明授权ITO透明导电层的制备方法及LED芯片是由朱建林;康龙;董国庆;文国昇;金从龙设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本ITO透明导电层的制备方法及LED芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种ITO透明导电层的制备方法及LED芯片，制备方法包括以下步骤：采用磁控溅射沉积第一ITO层并进行第一次退火；对第一次退火后的第一ITO层进行第一次刻蚀，得到图形化的第一ITO层；在图形化的第一ITO层上采用磁控溅射沉积第二ITO层并进行第二次退火；对第二次退火后的第二ITO层进行第二次刻蚀，得到图形化的第二ITO层；其中，沉积第一ITO层的溅射功率小于沉积第二ITO层的溅射功率；第一次退火的退火温度高于第二次退火的退火温度；第一次刻蚀的时间大于第二次刻蚀的时间。实施本发明，ITO透明导电层与外延结构形成良好的欧姆接触的同时具有更高的穿透率。
本发明授权ITO透明导电层的制备方法及LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种ITO透明导电层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 采用磁控溅射沉积第一ITO层，并进行第一次退火； 对第一次退火后的第一ITO层进行第一次刻蚀，得到图形化的第一ITO层； 在图形化的第一ITO层上采用磁控溅射沉积第二ITO层，并进行第二次退火； 对第二次退火后的第二ITO层进行第二次刻蚀，得到图形化的第二ITO层；所述图形化的第二ITO层包覆所述图形化的第一ITO层的上表面和侧面； 其中，沉积所述第一ITO层的溅射功率小于沉积所述第二ITO层的溅射功率；所述第一次退火的退火温度高于所述第二次退火的退火温度；所述第一次刻蚀的时间大于所述第二次刻蚀的时间。
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