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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利一种高性能SiC单光子紫外探测器的制备方法及探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815967B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411927804.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种高性能SiC单光子紫外探测器的制备方法及探测器是由韩超;杜丰羽;邹芳设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高性能SiC单光子紫外探测器的制备方法及探测器在说明书摘要公布了：本发明提供一种高性能SiC单光子紫外探测器的制备方法及探测器，涉及半导体光电器件技术领域。包括：利用碱土掺杂氧化硅的退火回流特性，在预设n+型SiC外延层表面制备间隔排布的半球形刻蚀掩膜；利用半球形刻蚀掩膜对预设n+型SiC外延层进行刻蚀，得到n+型SiC外延层；在n+型SiC外延层表面依次生长n‑型SiC外延层和p+型SiC外延层；对p+型SiC外延层表面的部分预设SiyyNxx钝化保护层开窗，得到SiyyNxx钝化保护层；在部分p+型SiC外延层表面制备阳极电极，并在n+型SiC衬底背面依次制备阴极电极和背反射层，得到高性能SiC单光子紫外探测器。这样，降低探测器的功耗和实现更高的探测器性能增益。

本发明授权一种高性能SiC单光子紫外探测器的制备方法及探测器在权利要求书中公布了：1.一种高性能SiC单光子紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括： 在n+型SiC衬底的表面生长预设n+型SiC外延层； 利用碱土掺杂氧化硅的退火回流特性，在所述预设n+型SiC外延层的表面制备间隔排布的半球形刻蚀掩膜； 利用所述半球形刻蚀掩膜，对所述预设n+型SiC外延层进行刻蚀，得到n+型SiC外延层，所述n+型SiC外延层的形状为半球形形状； 在所述n+型SiC外延层的表面依次外延生长n-型SiC外延层和p+型SiC外延层； 在所述p+型SiC外延层的表面和部分n+型SiC衬底的表面，生长预设SiyNx钝化保护层； 利用光刻工艺和刻蚀工艺，对所述p+型SiC外延层表面的部分预设SiyNx钝化保护层进行开窗，得到SiyNx钝化保护层； 在部分p+型SiC外延层的表面制备阳极电极，并在所述n+型SiC衬底的背面依次制备阴极电极和背反射层，得到所述高性能SiC单光子紫外探测器。

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