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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利矩形薄基片变形后形变和应力状态变曲率预测方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119783363B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411910850.5，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权矩形薄基片变形后形变和应力状态变曲率预测方法及装置是由刘海军;谢龙先;韩江;田晓青;夏链;陈珊;董方方设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本矩形薄基片变形后形变和应力状态变曲率预测方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及精密测量与分析技术领域中的矩形薄基片变形后形变和应力状态变曲率预测方法及装置。所述预测方法包括：建立三维坐标系XYZ；建立薄基片的曲率随位置坐标变化而变化的挠度模型，摒弃了原来的各处曲率相同的挠度模型，通过建立该变曲率挠度模型得到矩形薄基片在坐标x,y,z处的应变模型：X轴方向应变εxx、Y轴方向应变εyy、剪切应变γxyxy。本发明εxx、εyy、γxyxy的应变模型采用的方法是：设计了新的ω，尤其是ω，挠度ω的计算模型设计成了ω＝ax44+by44+cx22y22+dx22+ey22，此时薄基片的曲率随位置坐标变化而变化，彻底摒弃了传统的薄基片各处曲率相等模型中矩形薄基片挠度计算模型本发明解决了现有技术中预测矩形薄基片应力状态不准确的技术问题。

本发明授权矩形薄基片变形后形变和应力状态变曲率预测方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种矩形薄基片变形后形变和应力状态变曲率预测方法，其包括以下步骤： 建立三维坐标系：所述坐标系的原点为所述矩形薄基片的中间面的中心，X轴、Y轴分别平行于所述矩形薄基片的长、宽方向，Z轴垂直于X轴和Y轴所在的平面； 通过以下应变模型得到所述矩形薄基片在坐标x,y,z处的X轴方向应变εx、Y轴方向应变εy、剪切应变γxy： 式中，和分别为所述中间面的X轴方向应变、Y轴方向应变以及剪切应变，ω是所述矩形薄基片的挠度； 其特征在于，对εx、εy、γxy进行优化，建立薄基片的曲率随位置坐标变化而变化的挠度模型，优化后的εx、εy、γxy的应变模型分别为： εx＝a1+a2x2+a3y2-z12ax2+2cy2+2d εy＝b1+b2y2+b3x2-z12by2+2cx2+2e 式中，a、b、c、d、e分别为所述矩形薄基片的曲率系数，a1、a2、a3、b1、b2、b3为所述中间面的形变系数。

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