华南理工大学;粤芯半导体技术股份有限公司陈厚余获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学;粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利CrSi薄膜电阻制备方法、电阻器件制备方法及电阻器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119768045B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411972659.3，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权CrSi薄膜电阻制备方法、电阻器件制备方法及电阻器件是由陈厚余;刘玉荣;李振文;张拥华设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本CrSi薄膜电阻制备方法、电阻器件制备方法及电阻器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种CrSi薄膜电阻制备方法、电阻器件制备方法以及电阻器件，涉及半导体制造技术领域。该CrSi薄膜电阻制备方法包括：在晶圆的NDC膜层上沉积CrSi薄膜层；在CrSi薄膜层上方沉积SiON膜层，SiON膜层覆盖CrSi薄膜层；对CrSi薄膜层进行高温退火处理；采用干法刻蚀在SiON膜层和CrSi薄膜层上刻蚀出金属电极接触孔；在晶圆的正面沉积TIN膜层，TIN膜层覆盖SiON膜层、CrSi薄膜层和金属电极接触孔；采用干法刻蚀将TIN膜层刻蚀成金属电极。通过上述技术手段，CrSi薄膜层进行高温退火时SiON膜层阻止Cr原子向外扩散，对CrSi薄膜层和TIN膜层进行干法刻蚀，避免出现Cr原子污染刻蚀液的问题以及出现TIN侧掏导致CrSi薄膜层两端裸露的问题。
本发明授权CrSi薄膜电阻制备方法、电阻器件制备方法及电阻器件在权利要求书中公布了：1.一种CrSi薄膜电阻制备方法，其特征在于，包括： 在晶圆的NDC膜层上沉积CrSi薄膜层；其中，所述NDC膜层由掺氮的碳化硅材料沉积形成； 在所述CrSi薄膜层上方沉积SiON膜层，所述SiON膜层覆盖所述CrSi薄膜层； 对所述CrSi薄膜层进行高温退火处理； 采用干法刻蚀在所述SiON膜层和所述CrSi薄膜层上刻蚀出金属电极接触孔； 在所述晶圆的正面沉积TIN膜层，所述TIN膜层覆盖所述SiON膜层、所述CrSi薄膜层和所述金属电极接触孔；其中，所述TIN膜层由氮化钛材料沉积形成； 采用干法刻蚀将所述TIN膜层刻蚀成金属电极。
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