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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767896B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411898002.7，技术领域涉及：H10H20/833；该发明授权一种发光二极管芯片及其制备方法是由汪恒青;张星星;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光电器件领域，具体公开了一种发光二极管芯片及其制备方法。发光二极管芯片包括衬底；外延层，其设于衬底上，外延层包括依次层叠于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；外延层形成有暴露第一半导体层的裸露区域；第一透明导电层，其层叠于第二半导体层上；第二透明导电层，其层叠于第一透明导电层上；第一电极，其设于裸露区域内的第一半导体层上，并与第一半导体层电连接；和第二电极，其设于第二透明导电层上，并与第二半导体层电连接；其中，第一透明导电层的透光率小于第二透明导电层的透光率，第一透明导电层的方阻小于第二透明导电层的方阻。实施本发明，可提升发光二极管芯片的发光效率。

本发明授权一种发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，其设于所述衬底上，所述外延层包括依次层叠于所述衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述外延层形成有暴露所述第一半导体层的裸露区域； 第一透明导电层，其层叠于所述第二半导体层上； 第二透明导电层，其层叠于所述第一透明导电层上； 第一电极，其设于所述裸露区域内的第一半导体层上，并与所述第一半导体层电连接；和 第二电极，其设于所述第二透明导电层上，并与所述第二半导体层电连接； 其中，所述第一透明导电层的透光率小于所述第二透明导电层的透光率，所述第一透明导电层的方阻小于所述第二透明导电层的方阻； 所述第一透明导电层上阵列有多个通孔，以将所述第一透明导电层分隔为多个阵列分布的导电单元； 所述通孔内填充有第三透明导电层，所述第三透明导电层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的Sc2O3层和Sc、Sn共掺In2O3层； 所述Sc2O3层的厚度为1nm~2nm； 所述Sc、Sn共掺In2O3层的厚度为10nm~15nm，其Sc掺杂浓度为5%~10%，Sn掺杂浓度为15%~20%。

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