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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种图形化复合衬底及其制备方法、LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767885B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411946208.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种图形化复合衬底及其制备方法、LED芯片是由周庆林;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种图形化复合衬底及其制备方法、LED芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种图形化复合衬底及其制备方法、LED芯片。制备方法包括：提供蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上形成若干间隔排布的光刻胶凸起；对蓝宝石衬底进行刻蚀，使蓝宝石衬底在相邻的光刻胶凸起之间形成凹槽；在蓝宝石衬底上生长二氧化硅层；在二氧化硅层上形成若干间隔排布的光刻胶凸柱，且光刻胶凸柱与凹槽周期性交错排布；对蓝宝石衬底进行刻蚀，使凹槽外露，并使二氧化硅层在蓝宝石衬底表面形成凸起结构，以形成表面呈凸起结构与凹槽周期性交错排布的图形化复合衬底，且相邻凸起结构与凹槽之间设有间隔，制得的图形化复合衬底清晰度及精度更高，并且表面呈凸起结构与凹槽周期性间隔、交错排布，能够更有效地减少外延材料的位错和缺陷，提高外延材料的质量，提升发光效率。

本发明授权一种图形化复合衬底及其制备方法、LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种图形化复合衬底的制备方法，其特征在于，包括： 提供蓝宝石衬底； 在所述蓝宝石衬底上形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形包括若干间隔排布的光刻胶凸起； 对带有所述第一光刻胶图形的所述蓝宝石衬底进行刻蚀，使所述蓝宝石衬底在相邻的所述光刻胶凸起之间形成向内凹陷的凹槽； 在带有所述凹槽的所述蓝宝石衬底上生长二氧化硅层，所述二氧化硅层填平所述凹槽并平铺于所述蓝宝石衬底表面； 在所述二氧化硅层上形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形包括若干间隔排布的光刻胶凸柱，且所述光刻胶凸柱与所述凹槽周期性交错排布； 对带有所述第二光刻胶图形的所述蓝宝石衬底进行刻蚀，使所述凹槽外露，并使所述二氧化硅层在所述蓝宝石衬底表面形成凸起结构，以形成表面呈所述凸起结构与所述凹槽周期性交错排布的图形化复合衬底，且相邻所述凸起结构与所述凹槽之间设有间隔。

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