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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种原位测量三端器件可靠性的透射电镜制样方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119756982B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411895952.4，技术领域涉及：G01N1/28；该发明授权一种原位测量三端器件可靠性的透射电镜制样方法是由雷毅敏;朱青;张涛;范佳桐;陈超;张乐;马晓华设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种原位测量三端器件可靠性的透射电镜制样方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种原位测量三端器件可靠性的透射电镜制样方法，主要解决现有技术电极连接难和离子束损伤重的问题。其实现方案为：将待测器件置入聚焦离子束扫描电镜；调节图像确定取样位置；用离子束斜切待测器件暴露出电极截面；在器件的源极和栅极之间沉积Pt层，引出栅极；在Pt层上沉积SiO22层，减少离子束对样品的损伤；将试样薄片从器件上转移至微机电系统芯片上；在试样薄片与微机电系统芯片的接触处再次沉积Pt层，并将试样薄片与芯片连接；对试样薄片和芯片选区刻蚀，以使试样薄片的三端电极相互断路；通过离子将试样薄片减薄至电子透明。本发明具有高效率和可视化的特点，且成本低，时效性高，可用于实时观察晶体管三端器件退化和失效时的微观结构变化。

本发明授权一种原位测量三端器件可靠性的透射电镜制样方法在权利要求书中公布了：1.一种原位测量三端器件可靠性的透射电镜制样方法，其特征在于，包括如下步骤： 1将放有待测晶体管这种三端器件和微机电系统MEMS芯片的钉台插入聚焦离子束扫描电镜FIB-SEM腔室的样品台并抽取空气获得真空环境； 2在FIB-SEM的电子束窗口，调节焦距至电镜视野中图像清晰，将晶体管的栅极置于电镜视野中心位置，使源极和漏极对称分布在栅极两侧； 3在FIB-SEM的离子束窗口，调节焦距至图像清晰，再转动样品台，用离子束切割出晶体管的一个斜截面； 4在晶体管的源极和栅极顶部及斜截面沉积Pt层，并将源栅两电极暂时短路； 5在晶体管源、栅极顶部及斜截面的Pt层和晶体管的漏极沉积SiO2保护层，以减少离子束损伤； 6依次通过单侧挖槽、U形切割的手段从晶体管上切出试样薄片，并用机械手提取的手段将该试样薄片转移至MEMS芯片上； 7在试样薄片的源栅漏三电极与MEMS芯片电极的接触处沉积Pt层，将试样薄片的源栅漏三电极与MEMS芯片对应的电极分别连接；所述在试样薄片的源栅漏三电极与MEMS芯片电极的接触处沉积Pt层，是分别在试样薄片的源电极与MEMS芯片的第一电极接触处、试样薄片的栅电极与MEMS芯片的第二电极接触处、试样薄片的漏电极与MEMS芯片的第三电极接触处沉积Pt层，以将试样薄片固定在MEMS芯片上； 8采用FIB-SEM的离子束刻蚀MEMS芯片上的部分区域，使试样薄片的源栅漏三电极相互断路；具体是采用FIB-SEM的离子束先对MEMS芯片的第一电极与第二电极之间的部分区域进行刻蚀；再对试样薄片的部分源极及其下方的MEMS芯片的部分第二电极和基板区域进行刻蚀； 9采用FIB-SEM的离子束对MEMS芯片上的试样薄片进行单侧离子减薄至电子束易于穿透，最终完成电子透明样品制备。

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