上海显耀显示科技有限公司郭剑获国家专利权
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龙图腾网获悉上海显耀显示科技有限公司申请的专利用于提高发光效率的发光像素结构系统及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119732210B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280098634.8，技术领域涉及：H10H20/856；该发明授权用于提高发光效率的发光像素结构系统及其制造方法是由郭剑;徐慧文;李起鸣设计研发完成，并于2022-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于提高发光效率的发光像素结构系统及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于提高发光效率的像素结构。所述像素结构自上而下包括像素透镜、负电极焊盘层、导电半导体层、量子阱、隔离层、正电极层、介电层以及集成电路IC芯片层，并且所述量子阱布置在导电半导体层内。三面覆盖反射层布置在所述导电半导体层的下表面与所述正电极层的顶部之间。所述导电半导体层包括倒梯形半导体部和连续平坦化层。所述倒梯形半导体部两侧的斜面在像素透镜的方向上会聚并反射由量子阱发出的光。并且所述负电极焊盘层布置在连续平坦化层上。
本发明授权用于提高发光效率的发光像素结构系统及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种微型发光像素结构，其特征在于，包括： 导电半导体层，其中所述导电半导体层具有倒梯形形状，并且包括位于所述倒梯形形状顶部的连续层； 量子阱层，其用于发光，其中所述量子阱层在所述导电半导体层内； 三面覆盖反射层，其在所述导电半导体层下方，其中所述三面覆盖反射层的材料为Ag； 负电极焊盘层，其电连接到所述导电半导体层；以及 正电极层，其电连接到所述导电半导体层， 其中所述负电极焊盘层形成于所述连续层上方，并且在所述量子阱上方的区域中被挖空，使得从所述量子阱发出的光不被所述负电极焊盘层阻挡。
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