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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利改善迁移率和载流子浓度的Sn掺杂β-Ga2O3薄膜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119640228B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411809172.3，技术领域涉及：C23C16/18；该发明授权改善迁移率和载流子浓度的Sn掺杂β-Ga2O3薄膜制备方法是由冯倩;王垚;武文凯;王龙;张雅超;张进成设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善迁移率和载流子浓度的Sn掺杂β-Ga2O3薄膜制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善迁移率和载流子浓度的Sn掺杂β‑Ga22O33薄膜制备方法，主要解决现有β‑Ga22O33外延薄膜结晶质量差、不能兼具高迁移率和高载流子浓度的问题。其实现方案为：选取衬底并进行清洗；将清洗后的衬底放入MOCVD的反应腔内进行退火处理；使用N22作为Ga源和Sn源的载气，在气路通入周期内的不同阶段分别进行N22和O22的间歇性通入，为反应腔室提供间歇性的O原子、Ga原子和Sn原子，并通过这三种原子在高温退火后的衬底表面共同作用形成Sn掺杂的β‑Ga22O33薄膜，再对其进行冷却完成β‑Ga22O33薄膜制备。本发明不仅显著降低了外延薄膜的缺陷密度，而且有效提升了薄膜的电学性能，可用于制作高功率、高频电子器件。

本发明授权改善迁移率和载流子浓度的Sn掺杂β-Ga2O3薄膜制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改善迁移率和载流子浓度的Sn掺杂β-Ga2O3薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将衬底依次放入氢氟酸、丙酮溶液、异丙醇溶液进行超声清洗； 2将清洗后的衬底放置于MOCVD反应腔室的石墨基座上，进行900-1000℃高温退火处理； 3在退火后的衬底上生长双脉冲Sn掺杂β-Ga2O3薄膜： 3a在气路通入周期的第一个阶段中，开启N2阀门，关闭O2阀门，载气N2作为Ga源和Sn源分别通入三乙基镓TEGa有机源瓶和四二甲氨基锡TDMASn有机源瓶，以将TEGa分子和TDMASn分子带入反应腔室，为其间歇提供Ga原子和Sn原子；所述载气N2同时通入三乙基镓TEGa有机源瓶和四二甲氨基锡TDMASn有机源瓶，其载气N2通入TEGa的流速是20-60sccm，通入TDMASn的流速是2-6sccm，通入时间均为0.2-0.6min； 3b在气路通入周期的第二个阶段中，关闭N2阀门，开启O2阀门，O2通入反应腔室为反应腔室间歇提供O原子，并通过Ga、Sn和O这三种原子在高温退火后的衬底表面共同作用形成Sn掺杂β-Ga2O3薄膜；所述O2通入反应腔室，其流速为2000-6000sccm，通入时间为0.1min； 3c设置反应室温度为700-900℃，重复步骤3a和3b的气路通入周期，直到Ga和Sn气路的通入时间达到设定时间60-120min，在高温退火后的衬底表面形成β-Ga2O3薄膜； 4对外延Sn掺杂的β-Ga2O3薄膜在O2气氛中进行冷却至室温后，关闭真空阀，再通入高纯N2直至反应室压强与外界持平时取出，完成β-Ga2O3薄膜制备。

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