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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十四研究所申请的专利基于双面临时键合工艺低暗电流硅漂移探测器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521839B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411703162.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权基于双面临时键合工艺低暗电流硅漂移探测器制备方法是由刘钟远;黄烈云;张勇;曲鹏程;王小东设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于双面临时键合工艺低暗电流硅漂移探测器制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于双面临时键合工艺低暗电流硅漂移探测器制备方法，在SDD晶圆正面工艺完成制作后，采用临时键合胶与临时键合玻璃载片，对SDD晶圆正面进行临时键合；而后对临时键合完成后的SDD晶圆背面进行减薄抛光，再对减薄抛光后的SDD晶圆背面进行CMP工艺消除损伤层，降低器件暗电流；然后对SDD晶圆背面进行工艺制作，制作完成后，采用激光解键合工艺将玻璃片与SDD晶圆剥离开，露出晶圆正面；其中，在SDD晶圆有源区制作时，掺杂采用薄栅氧化层进行屏蔽注入，注入完成后去除屏蔽氧化层，在进行炉管氧化并退火，降低器件暗电流；在SDD接触孔氧化层去除时，采用干法刻蚀与湿法腐蚀相结合的制作工艺，避免对硅衬底造成损伤，降低器件暗电流。

本发明授权基于双面临时键合工艺低暗电流硅漂移探测器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双面临时键合工艺低暗电流硅漂移探测器制备方法，其特征在于：在SDD晶圆正面工艺完成制作后，采用临时键合胶与临时键合玻璃载片，对SDD晶圆正面进行临时键合；而后对临时键合完成后的SDD晶圆背面进行减薄抛光，再对减薄抛光后的SDD晶圆背面进行CMP工艺消除损伤层，降低器件暗电流；然后对SDD晶圆背面进行工艺制作，制作完成后，采用激光解键合工艺将玻璃片与SDD晶圆剥离开，露出晶圆正面； 其中，在SDD晶圆有源区制作时，掺杂采用薄栅氧化层进行屏蔽注入，注入完成后去除屏蔽氧化层，在进行炉管氧化并退火，降低器件暗电流；在SDD接触孔氧化层去除时，采用干法刻蚀与湿法腐蚀相结合的制作工艺，避免对硅衬底造成损伤，降低器件暗电流； 该制备方法包括如下步骤： S1、将正面工艺制作完成后的SDD晶圆进行清洗并干燥后备用； S2、对临时键合玻璃载片进行临时键合胶涂覆并固化； S3、将正面工艺完成后的SDD晶圆与临时键合玻璃载片进行对准； S4、将对准完成后的SDD晶圆与临时键合玻璃载片在键合机设备上通过施加设定压力进行键合； S5、将压力键合完成后的SDD晶圆放置在真空烘箱中进行热烘固化，实现SDD晶圆与临时键合玻璃载片的牢固粘连，完成晶圆的临时键合； S6、将临时键合完成后的SDD晶圆进行去边与清洗工艺，去除晶圆边缘残胶，防止后续工艺时污染工艺机台，以及降低晶圆表面粘污与颗粒； S7、将临时键合去边完成后的SDD晶圆进行背面减薄，将SDD晶圆片减薄至厚度500±20μm； S8、完成减薄后的SDD晶圆进行背面CMP工艺，去除背面损伤层1~2μm，并调节晶圆平整度； S9、将CMP工艺完成后的SDD晶圆进行背面有源区掺杂，采用二氧化硅屏蔽层注入掺杂工艺； S10、有源区掺杂完成后，采用BOE溶液湿法腐蚀去除二氧化硅屏蔽层； S11、将去除二氧化硅屏蔽层的晶圆重新生长300±10nm厚二氧化硅钝化层； S12、进行接触孔氧化层去除，采用干法刻蚀250±10nm厚氧化层后，最后50nm氧化层采用湿法腐蚀的方式完全去除； S13、将接触孔制作完成后的SDD晶圆进行金属电极制作； S14、将金属电极制作完成后的晶圆进行激光解键合工艺，将SDD晶圆与临时键合玻璃载片分离； S15、将S14中得到的SDD晶圆采用去胶液进行临时键合胶去除； S16、将S15中得到的SDD晶圆进行清洗，得到最终制作完成的SDD晶圆。

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