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龙图腾网获悉南京信息工程大学申请的专利一种GaN基微型LED显示单元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451331B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411429129.4，技术领域涉及：H10H20/821；该发明授权一种GaN基微型LED显示单元及其制备方法是由赵见国;张玉尧;武志勇;徐儒;常建华设计研发完成，并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN基微型LED显示单元及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN基微型LED显示单元及其制备方法，其结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN基复合缓冲层、N型GaN层、含有微孔阵列的掩膜层、六方密堆积的N型GaN六角岛结构、在N型GaN六角岛上制备的量子阱、载流子调控层和P型InxxGa1‑x1‑xN层等。其中六方密堆积的N型GaN六角岛与量子阱构成了微型LED显示单元的发光结构，以独立台面结构为单元可以避免刻蚀损伤带来的不利影响，有效抑制每个发光单元的边缘效应，提高亮度；以六方密堆积为基础排列发光单元，可以最大程度上的有效利用外延片的面积，将经济效益最大化。该结构有效抑制了传统GaN基微型LED制备工艺对光效的负面影响，对GaN基微型LED显示器的发展具有重要意义。

本发明授权一种GaN基微型LED显示单元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基微型LED显示单元，其特征在于：包括自下而上依次设置的衬底101、GaN基复合缓冲层102、N型GaN层103、含有微孔阵列的掩膜层104、六方密堆积的N型GaN六角岛阵列105、在N型GaN六角岛上的量子阱阵列106、载流子调控层107和P型InxGa1-xN层108；其中，衬底101是111面Si衬底或002蓝宝石衬底中的一种；当衬底101是111面Si衬底时，GaN基复合缓冲层102自下而上依次包括10～50nm厚的AlN薄膜、5～30周期的单个周期厚度为5～15nm厚的Aly1Ga1-y1NGaN超晶格、10～20周期的单个周期厚度为5～10nm厚的Iny2Ga1-y2NGaN超晶格和1～3μm厚的GaN薄膜；当衬底101是002蓝宝石衬底时，GaN基复合缓冲层102自下而上依次包括3～10nm厚的AlN薄膜、10～30周期的单个周期厚度为5～10nm厚的Iny3Ga1-y3NGaN超晶格和1～3μm厚的GaN薄膜； 其中，0.05y10.2,0.05y20.15,0.03y30.10；六方密堆积的N型GaN六角岛阵列105是在含有微孔阵列的掩膜层104上选区外延生长的、由彼此独立的N型GaN六角岛状结构构成，此结构顶部以台面结尾时为N型GaN六棱台，顶部以棱锥结构结尾时为N型GaN六棱锥；N型GaN六角岛阵列105为N型GaN六棱台结构时，量子阱阵列106、载流子调控层107和P型InxGa1-xN层108是在N型GaN六棱台的台面顶部生长的外延结构；N型GaN六角岛阵列105为N型GaN六棱锥结构时，量子阱阵列106、载流子调控层107和P型InxGa1-xN层108是在N型GaN六棱锥的六个侧面生长的外延结构；P型InxGa1-xN层108的厚度在50～200nm之间，摩尔组分x为0～0.15，当x＝0时即为GaN；Mg元素掺杂浓度为2×1019cm-3～5×1019cm-3之间，其空穴浓度不低于1×1018cm-3；其中P型InxGa1-xN层108上表面的5～30nm厚度区域内，Mg元素的掺杂浓度不小于1×1020cm-3，其空穴浓度不低于5×1018cm-3。

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