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龙图腾网获悉上海天岳半导体材料有限公司申请的专利一种碳化硅单晶多型共生区域的晶型判定方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119290843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411401954.3，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权一种碳化硅单晶多型共生区域的晶型判定方法及应用是由张九阳;宗艳民;高超;隋晓明;石志强;梁云硕;张红岩;靳婉琪;王昆鹏;安鹏飞设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅单晶多型共生区域的晶型判定方法及应用在说明书摘要公布了：本申请公开了一种碳化硅单晶多型共生区域的晶型判定方法及应用，属于碳化硅材料检测技术领域。该判定方法包括下述步骤：1测试：对碳化硅单晶进行拉曼测试得到测试谱图，按照不同晶型的拉曼特征峰将测试谱图中的特征峰归类为第一晶型拉曼特征峰和第二晶型拉曼特征峰；2判定：根据第一晶型拉曼特征峰的峰强和第二晶型拉曼特征峰的峰强比值判定该测试点处晶型为第一晶型、第一晶型和第二晶型的共生晶型或第二晶型。该方法采用拉曼对碳化硅单晶材料进行测试并根据测试谱图判定测试点处的晶型，能够对碳化硅单晶材料多型共生区域的晶型精准区分和定量表征，可用于对碳化硅单晶棒的规模化检测。

本发明授权一种碳化硅单晶多型共生区域的晶型判定方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅单晶多型共生区域的晶型判定方法，其特征在于，包括下述步骤： 1测试：对碳化硅单晶进行拉曼测试得到测试谱图，按照不同晶型的拉曼特征峰将测试谱图中的特征峰归类为第一晶型拉曼特征峰和第二晶型拉曼特征峰； 2判定：若RPS1RPS2≥10且0.5≤RPS2IBaseline≤5，则该测试点处晶型为第一晶型；若0.1≤RPS1RPS2＜10且RPS1IBaseline≥2、RPS2IBaseline≥2，则该测试点处晶型为第一晶型和第二晶型的共生晶型；若RPS1RPS2＜0.1，且0.5≤RPS1IBaseline≤5则该测试点处晶型为第二晶型，所述RPS1为第一晶型拉曼特征峰的峰强，所述RPS2为第二晶型拉曼特征峰的峰强，IBaseline为基线峰强； 所述第一晶型为4H晶型、6H晶型或15R晶型中的一种，所述第二晶型为4H晶型、6H晶型或15R晶型中的一种； 所述4H晶型拉曼特征峰为776.62±1.00cm-1，所述6H晶型拉曼特征峰为788.05±1.00cm-1，所述15R晶型拉曼特征峰为784.59±1.00cm-1。

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