北京科技大学张津获国家专利权
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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种高承载高结合力α-Ta/α-Ta-N涂层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119194387B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411478372.5，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种高承载高结合力α-Ta/α-Ta-N涂层及其制备方法是由张津;丁啸云;连勇设计研发完成，并于2024-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高承载高结合力α-Ta/α-Ta-N涂层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高承载高结合力α‑Taα‑Ta‑N涂层及其制备方法，涉及物理气相沉积领域。所述α‑Taα‑Ta‑N涂层包括打底层和交替层，交替层通过打底层与基体相连；所述交替层由α‑Ta层和α‑Ta‑N层交替构成，交替层的层数≥6；所述α‑Ta层和α‑Ta‑N层晶体结构均为单一的体心立方结构，α‑Ta‑N层无柱状晶特征且为固溶体相。与现有技术相比，本发明可以在低温、无昂贵气体仅使用氩气、氮气、氢气、无需后热处理和异质金属打底的情况下，通过微量的气体掺杂和简单的交替沉积，获得兼具高强度、高结合力和高韧性的α‑Taα‑Ta‑N涂层。
本发明授权一种高承载高结合力α-Ta/α-Ta-N涂层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高承载高结合力α-Taα-Ta-N涂层，其特征在于， 1所述α-Taα-Ta-N涂层包括打底层和交替层，交替层通过打底层与基体相连； 2所述交替层由α-Ta层和α-Ta-N层交替构成，交替层的层数≥6； 3所述α-Ta层和α-Ta-N层晶体结构均为单一的体心立方结构，α-Ta-N层无柱状晶特征且为固溶体相，所述α-Ta-N层中的N元素含量为1.0～9.9at％。
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