天津大学马凯学获国家专利权
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龙图腾网获悉天津大学申请的专利基于片上微凸天线的可扩展硅基太赫兹辐射源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133852B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411053640.9，技术领域涉及：H01Q1/50；该发明授权基于片上微凸天线的可扩展硅基太赫兹辐射源是由马凯学;余淼设计研发完成，并于2024-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于片上微凸天线的可扩展硅基太赫兹辐射源在说明书摘要公布了：本发明公开基于片上微凸天线的可扩展硅基太赫兹辐射阵列源及太赫兹辐射源。基于片上微凸天线的可扩展硅基太赫兹辐射阵列源，包括多个由基于片上微凸天线的交叉耦合谐波振荡器构成的阵列单元，多个所述阵列单元连接组成n×n阵列结构的可扩展硅基太赫兹辐射阵列源。本发明的可扩展硅基太赫兹辐射阵列源，其片上微凸天线辐射结构，满足太赫兹频率和宽带要求，能够应用于太赫兹辐射源系统，并能实现高工作频率、高辐射功率、宽带可调谐的太赫兹辐射源阵列系统。
本发明授权基于片上微凸天线的可扩展硅基太赫兹辐射源在权利要求书中公布了：1.基于片上微凸天线的可扩展硅基太赫兹辐射源，其特征在于，为基于片上微凸天线的双重注入结构的四核耦合振荡器，包括一个片上微凸天线以及四个交叉耦合对，每个交叉耦合对包括两个晶体管，每个晶体管的源极连接一个源极电感的一端，且每个晶体管的漏极连接一个漏极电感的一端，每个晶体管的栅极连接一个栅极电感的一端，每个交叉耦合对的两个源极电感的另一端接地、两个漏极电感的另一端与所述片上微凸天线的差分馈入端相接；栅级电感的另一端连接另一个晶体管的漏极； 每个交叉耦合对的漏极电感均以第一耦合系数与相邻交叉耦合对的源极电感耦合，并且相邻交叉耦合对之间的栅极电感均以第二耦合系数相耦合，通过两种耦合结构实现交叉耦合对之间的相互注入锁定，增强交叉耦合对核心电路之间在基波频率处的频率锁定。
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