北京北方华创微电子装备有限公司纪安宽获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利形成沟槽结构、去除沟槽内副产物方法及晶片承载装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119132945B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411178822.9，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权形成沟槽结构、去除沟槽内副产物方法及晶片承载装置是由纪安宽;王建宗;张紫博设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成沟槽结构、去除沟槽内副产物方法及晶片承载装置在说明书摘要公布了：本申请公开一种形成沟槽结构、去除沟槽内副产物方法及晶片承载装置，其中晶片承载装置包括至少一个用于承载晶片的晶片槽，各个所述晶片槽的底面为相对于水平面的倾斜面，将具有沟槽图案的晶片放置在上述晶片承载装置后传入工艺腔室，使晶片在工艺腔室处于倾斜状态，沟槽的一侧侧壁可以面向射入的刻蚀气体，刻蚀气体与该侧侧壁之间的接触面积变大，对晶片进行第一刻蚀时，可以有效去除沟槽中该侧侧壁上的副产物，再将晶片旋转预设角度，使沟槽的另一侧侧壁向射入的刻蚀气体，对晶片进行第二刻蚀时，可以有效去除沟槽另一侧侧壁上的副产物，上述两次刻蚀可以减小在刻蚀形成沟槽的过程中在沟槽侧壁上所形成的条纹凸起的高度差，有效降低沟槽侧壁的粗糙度，还可以弱化沟槽底部的微凹槽缺陷。
本发明授权形成沟槽结构、去除沟槽内副产物方法及晶片承载装置在权利要求书中公布了：1.一种晶片承载装置，其特征在于，所述晶片承载装置包括至少一个用于承载晶片的晶片槽，各个所述晶片槽的底面为相对于水平面的倾斜面，所述倾斜面相对于水平面的倾角为3-10°，以在去除所述晶片的沟槽内副产物的过程中，降低沟槽侧壁的粗糙度，减轻沟槽底部的微凹槽现象。
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