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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种多晶NCM电极颗粒开裂粉化预测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119089732B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411057370.9，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种多晶NCM电极颗粒开裂粉化预测方法及系统是由林一歆;沈伟嘉;黎可;黄俊迪;屈鑫怡;陈香;符高铭设计研发完成，并于2024-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多晶NCM电极颗粒开裂粉化预测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明属于但不限于电子核心产业技术领域，公开了一种多晶NCM电极颗粒开裂粉化预测方法及系统，包括：构建各向异性多晶断裂相场模型，包括晶界相场方程、固体力学方程、Li++扩散方程以及断裂相场方程；构建多晶NCM电极颗粒二维几何，设置物理场所需参数，进行网格划分并设置初始条件、边界条件；使用有限元仿真软件进行数值求解，得到多晶NCM电极颗粒的开裂粉化分布。本发明考虑了Li++扩散和机械应力、开裂粉化和机械应力的双向耦合，并使用晶界相场计算修正临界能量释放速率，使得本发明能够准确反映多晶NCM电极颗粒开裂粉化的机理，提高了开裂粉化预测的准确性。

本发明授权一种多晶NCM电极颗粒开裂粉化预测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种多晶NCM电极颗粒开裂粉化预测方法，其特征在于，包括： S1，构建各向异性多晶断裂相场模型，包括晶界相场方程、固体力学方程、Li+扩散方程以及断裂相场方程； S2，构建多晶NCM电极颗粒二维几何，设置物理场所需参数，进行网格划分并设置初始条件、边界条件； S3，使用有限元仿真软件进行数值求解，得到多晶NCM电极颗粒的开裂粉化分布； 在所述步骤S1中，晶界相场方程用于计算多晶NCM电极颗粒内部修正临界能量释放速率，固体力学方程用于计算应力、弹性应变能密度分布，Li+扩散方程用于计算Li+浓度分布，断裂相场方程用于计算开裂粉化分布； 在所述步骤S2中，多晶NCM电极颗粒二维几何由沃罗诺伊图算法绘制；设置的物理参数包括杨氏模量、泊松比、密度、温度、Li+扩散速率、最大Li+浓度、参考Li+浓度、晶界相场长度参数、断裂相场长度参数、晶界临界能量释放速率、一级颗粒能量释放速率、单位浓度体积变化、偏摩尔体积、所有一级颗粒晶向；网格划分采用三角形网格，最大网格大小设置为0.02μm；初始条件包括晶界相场初始值、Li+扩散初始浓度、固体力学初始位移、断裂相场初始值；边界条件包括晶界相场迪利克雷边界条件、Li+扩散通量、固体力学自由边界条件； 所述步骤S2中，针对多晶NCM电极颗粒中的每一个一级颗粒，构建独立的空间坐标系，坐标系的取向为一级颗粒晶向； 在所述步骤S3中，采用两个求解步骤对模型进行数值求解；第一个步骤为稳态求解晶界相场方程，得到修正临界能量释放速率分布并存储；第二个步骤为瞬态求解固体力学方程、Li+扩散方程以及断裂相场方程，将第一步存储的修正临界能量释放速率传递至第二步作为临界能量释放速率的分布； 在所述步骤S3中，多晶NCM电极颗粒的开裂粉化分布为断裂相场序参量的分布。

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