宁波江丰电子材料股份有限公司姚力军获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波江丰电子材料股份有限公司申请的专利一种大尺寸氮化硅陶瓷的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118754680B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410934632.9,技术领域涉及:C04B35/593;该发明授权一种大尺寸氮化硅陶瓷的制备方法是由姚力军;滕晓朋;吴东青;廖培君设计研发完成,并于2024-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大尺寸氮化硅陶瓷的制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种大尺寸氮化硅陶瓷的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:第一混合烧结助剂与分散剂,得到第一混粉;第二混合氮化硅粉末与第一混粉,得到第二混粉;第三混合粘结剂溶液与第二混粉,得到氮化硅浆料;使用氮化硅浆料进行喷雾造粒,得到球形粉末;球形粉末装模后进行冷等静压成型,得到氮化硅生坯;氮化硅生坯经脱脂与热等静压,得到所述大尺寸氮化硅陶瓷。本发明提供的制备方法能够实现大尺寸氮化硅陶瓷的制备,且工艺简单,易于大批量生产,且所得大尺寸氮化硅陶瓷的致密度高、均匀性好且性能优异。
本发明授权一种大尺寸氮化硅陶瓷的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种长度在1.5米以上的大尺寸氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤: 1第一混合烧结助剂与分散剂,得到第一混粉; 2第二混合氮化硅粉末与第一混粉,得到第二混粉; 3第三混合粘结剂溶液与第二混粉,得到氮化硅浆料; 4使用氮化硅浆料进行喷雾造粒,得到球形粉末; 5球形粉末装模后进行冷等静压成型,得到氮化硅生坯; 6氮化硅生坯经脱脂与热等静压,得到所述大尺寸氮化硅陶瓷; 步骤5所述冷等静压成型的压力为200-250MPa; 步骤5所述冷等静压成型的时间为5-10min; 步骤6所述脱脂的温度为500-600℃; 步骤6所述脱脂的时间为1-5h; 步骤6所述热等静压包括依次进行的第一热处理、第二热处理、第三热处理以及第四热处理; 所述第一热处理的温度为900-1200℃,时间为1-3h; 所述第二热处理的温度为1300-1500℃,时间为1-3h; 所述第三热处理的温度为1600-1700℃,时间为2-4h; 所述第四热处理的温度为1750-1850℃,时间为2-6h; 步骤6所述热等静压的压力为180-250MPa。
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