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龙图腾网获悉清华大学申请的专利硅烷分子自组装单层膜及多层金属氧化物薄膜结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118600416B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410606052.7，技术领域涉及：C23C26/00；该发明授权硅烷分子自组装单层膜及多层金属氧化物薄膜结构的制备方法是由柴智敏;路新春;张经纬;王广基设计研发完成，并于2024-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅烷分子自组装单层膜及多层金属氧化物薄膜结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种硅烷分子自组装单层膜及多层金属氧化物薄膜结构的制备方法。本发明的硅烷分子自组装单层膜的制备方法包括以下步骤：对基底表面进行活化处理；在至少部分的活化处理区域通过硅烷分子进行自组装以形成硅烷分子自组装单层膜；其中，所述硅烷分子包括具有碳原子数4以上的疏水链段，并且，所述硅烷分子中不包含氯元素；所述基底表面包含金属氧化物薄膜层，并且所述硅烷分子自组装单层膜至少部分的形成于所述金属氧化物薄膜层表面。进一步地，在该硅烷分子自组装单层膜的制备方法的基础上提出了多层金属氧化物薄膜结构的制备方法。本发明提供的方法相较于传统使用的真空沉积工艺而言，操作性、便利性大幅提高且生产成本显著下降。

本发明授权硅烷分子自组装单层膜及多层金属氧化物薄膜结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅烷分子自组装单层膜的制备方法，包括以下步骤： 对基底表面进行活化处理； 在至少部分的活化处理区域通过硅烷分子进行自组装以形成硅烷分子自组装单层膜； 其中，所述硅烷分子中不包含氯元素； 并且，所述硅烷分子为三甲氧基1H,1H,2H,2H-九氟己基硅烷、三甲氧基1H,1H,2H,2H-十三氟正辛基硅烷、三甲氧基1H,1H,2H,2H-十七氟癸基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷和辛基三甲氧基硅烷、三乙氧基1H,1H,2H,2H-九氟己基硅烷、三乙氧基-1H,1H,2H,2H-十三氟代正辛基硅烷、1H,1H,2H,2H-全氟癸基三乙氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷、十六烷基三乙氧基硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷、己基三乙氧基硅烷和丁基三乙氧基硅烷中的一种或多种的组合； 所述基底表面包含金属氧化物薄膜层，并且所述硅烷分子自组装单层膜至少部分的形成于所述金属氧化物薄膜层表面。

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