电子科技大学罗萍获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种抗总剂量辐射的带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118170198B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410349476.X，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种抗总剂量辐射的带隙基准电路是由罗萍;李成鑫;王壮壮;赵忠;冯皆凯;龚正;黄经纬;齐烨宁设计研发完成，并于2024-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抗总剂量辐射的带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明属于模拟集成电路抗辐射加固技术领域，涉及一种抗总剂量辐射的带隙基准电路，该电路分为PMOS型带隙基准和隔离NMOS型带隙基准两种。其特征在于：使电路中的MOS管工作于截止区，并将漏极和体电位相连，利用其源阱二极管产生带隙基准电压。在器件结构上利用叉指结构，使源阱二极管远离场氧区，最大程度避免总剂量辐射干扰。本发明具有抗总剂量辐射、版图面积小、可移植性强等优点。
本发明授权一种抗总剂量辐射的带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种抗总剂量辐射的带隙基准电路，为PMOS型带隙基准，其特征在于，包括第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电流源I1及第二电流源I2；所述第一PMOS管PM1的体电位和漏极相连，同时连接第二电阻R2的上端；第一PMOS管PM1的源极连接第一电流源I1下端；第二PMOS管PM2的体电位和漏极相连，同时连接第二电阻R2的上端；第二PMOS管PM2的源极连接第一电阻R1下端；第一电阻R1上端连接第二电流源I2下端；第一电流源I1和第二电流源I2的上端同时连接电源VDD，第二电阻R2的下端连接地电位GND；第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2的栅极电位大于等于各自源极电位；第一电流源I1与第二电流源I2电流相等；第一PMOS管PM1源极电位与第一电阻R1上端电位相等；第一PMOS管PM1与第二PMOS管PM2数量之比为1：N；第一PMOS管PM1的源极为带隙基准电路的输出端。
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